[發明專利]制造光電子部件的方法和光電子部件

有效

• 申請號: 201780024117.5
• 申請日: 2017-04-13
• 公開（公告）號: CN109075238B
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發明（設計）人: G.克羅伊特;M.洛斯特;K.施密特克;A.皮克特
• 申請（專利權）人: 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L33/56
• 分類號: H01L33/56
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉維升;周李軍

本發明涉及制造光電子部件(100)的方法，其具有下列步驟：A)提供半導體(3)，其能夠發射初級輻射(8)，B)提供烷氧基官能化的聚有機硅氧烷樹脂(1)，并C)使所述烷氧基官能化的聚有機硅氧烷樹脂(1)交聯以形成三維交聯的聚有機硅氧烷(4)，其中所述三維交聯的聚有機硅氧烷(1)的有機含量是最多25重量%。

本發明涉及制造光電子部件的方法。此外，本發明涉及光電子部件。

光電子部件，例如發光二極管或大功率發光二極管（LED）通常具有由聚有機硅氧烷（硅酮）形成的透明部件。但是，這些透明部件不具有足夠的溫度穩定性和藍光穩定性（Blaulichtstabilit?t）。而且，其它材料作為透明部件也不夠藍光穩定和溫度穩定，或要求超過對于LED芯片允許限值的加工溫度，例如玻璃。因此，傳統聚有機硅氧烷的較少有利性能由于缺乏替代品而導致對于光電子部件的限制。所用傳統聚有機硅氧烷的有限的溫度穩定性和藍光穩定性導致較低的最大環境溫度、對散熱體的較小熱阻和小額定電流的規定。高的滲透性可能額外地是限制使用光電子部件的原因。例如，具有高的硫或硫化物含量的氣氛或揮發性有機化合物的存在可能擴散到光電子部件中并損害它們。此外，由于傳統硅酮的高的熱膨脹（250至300 ppm），需要特定的殼體匹配，以例如避免脫層。特別以所需殼體形狀存在的傳統聚有機硅氧烷通過貴金屬催化的加成而交聯。聚合物鏈在此在固化過程中結合，在該固化過程中Si-H鍵與C-C雙鍵在加聚中反應并形成Si-C鍵。

本發明的目的是提供制造光電子部件的方法，該方法提供穩定的光電子部件。特別地，所制造的光電子部件是溫度穩定和/或藍光穩定的。此外，本發明的目的是提供穩定，特別是溫度穩定和/或藍光穩定的光電子部件。

所述目的通過根據獨立權利要求1的制造光電子部件的方法實現。本發明的有利實施方式和擴展方式是從屬權利要求的主題。此外，所述目的通過根據權利要求15的光電子部件實現。

在至少一個實施方案中，所述制造光電子部件的方法具有下列步驟：

A) 提供半導體，其能夠發射初級輻射，

B) 提供烷氧基官能化的聚有機硅氧烷樹脂，特別是甲氧基官能化的聚有機硅氧烷樹脂，并

C) 使所述烷氧基官能化的聚有機硅氧烷樹脂，特別是甲氧基官能化的聚有機硅氧烷樹脂交聯以形成三維交聯的聚有機硅氧烷，其中所述三維交聯的聚有機硅氧烷的有機含量是最多25重量%，即最大25重量%。

發明人已認識到，通過在此描述的方法可以產生部件，其相比于具有傳統硅酮的部件而言具有提高的溫度穩定性和/或藍光穩定性。所述交聯的聚有機硅氧烷可以作為透鏡、殼體、澆鑄材料和/或轉換器元件成型并且出色地用于大功率LED。

根據至少一個實施方案，所述光電子部件具有半導體。該半導體包括半導體層序列。該半導體的半導體層序列優選地基于III-V化合物半導體材料。所述半導體材料優選是氮化物化合物半導體材料，例如Al_nIn_1-n-mGa_mN或磷化合物半導體材料，例如Al_nIn_1-n-mGa_mP，其中分別地0 ≤ n ≤ 1，0 ≤ m ≤ 1且n + m ≤ 1。同樣地，所述半導體材料可以是Al_xGa_1-xAs，其中0 ≤ x ≤ 1。在此，該半導體層序列可以具有摻雜物質以及額外的成分。但是，為了簡單，僅說明該半導體層序列的晶格的主要成分，即Al、As、Ga、In、N或P，甚至當它們可以部分地被少量其它物質替代和/或補充時。