[發明專利]制造光電子部件的方法和光電子部件

有效

• 申請號: 201780024117.5
• 申請日: 2017-04-13
• 公開（公告）號: CN109075238B
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發明（設計）人: G.克羅伊特;M.洛斯特;K.施密特克;A.皮克特
• 申請（專利權）人: 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L33/56
• 分類號: H01L33/56
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉維升;周李軍

1.制造光電子部件(100)的方法，其具有下列步驟：

A) 提供半導體(3)，其能夠發射初級輻射(8)，

B) 提供烷氧基官能化的聚有機硅氧烷樹脂(1)，和

C) 使所述烷氧基官能化的聚有機硅氧烷樹脂(1)交聯以形成三維交聯的聚有機硅氧烷(4)，其中所述三維交聯的聚有機硅氧烷(4)的有機含量是最多25重量%，

其中所述烷氧基官能化的聚有機硅氧烷樹脂(1)是烷氧基含量為17 +/- 4重量%的烷氧基官能化的甲基苯基硅樹脂，或者

其中烷氧基官能化的聚有機硅氧烷樹脂(1)是烷氧基含量為35 +/- 4重量%的烷氧基官能化的甲基硅樹脂。

2.根據權利要求1的方法，

其中步驟C)中的交聯是縮合交聯。

3.根據權利要求1或2的方法，

其中三維交聯的聚有機硅氧烷(4)的有機含量是包括13重量%至包括18重量%。

4.根據權利要求1或2的方法，其中交聯的聚有機硅氧烷(4)具有大于70的肖氏A硬度。

5.根據權利要求1或2的方法，

其中交聯的聚有機硅氧烷(4)布置在半導體(3)的光束路徑中。

6.根據權利要求1或2的方法，其額外地具有步驟D)：

將烷氧基官能化的聚有機硅氧烷樹脂(4)作為轉換器元件(11)施加到半導體(3)的輻射主面(12)上，其中轉換器元件(11)具有至少一種發光物質(13)，其將初級輻射(8)轉變成次級輻射(10)。

7.根據權利要求6的方法，其中所述發光物質是鋁石榴石、堿土金屬氮化物或其組合，其中所述發光物質在交聯的聚有機硅氧烷(4)中具有最小50重量%的含量。

8.根據權利要求6的方法，其額外地具有步驟E)：

將交聯的聚有機硅氧烷(4)作為體積澆鑄件(9)至少局部地布置在光電子部件(100)的殼體的凹處(14)內，其中半導體(3)形狀配合地被交聯的聚有機硅氧烷(4)包圍并且在截面中具有至少250 μm的厚度，其中所述發光物質是鋁石榴石、堿土金屬氮化物或其組合，其中所述發光物質在交聯的聚有機硅氧烷(4)中具有最多25重量%的含量。

9.根據權利要求1或2的方法，

其中交聯的聚有機硅氧烷(4)作為殼體(21)或透鏡(5)成型。

10.根據權利要求1或2的方法，

其中步驟B)借助澆鑄、滴涂、旋涂、刮涂、噴涂或壓縮模塑進行。

11.根據權利要求1或2的方法，

其中步驟C)中的交聯(7)借助溫度和/或濕度或UV輻射進行。

12.根據權利要求1或2的方法，

其中所述烷氧基官能化的聚有機硅氧烷樹脂通過前體水解而產生。

13.光電子部件(100)，其通過根據權利要求1至12中任一項的方法可得。

14.制造光電子部件(100)的方法，其具有下列步驟：

A) 提供半導體(3)，其能夠發射初級輻射(8)，

B) 提供烷氧基官能化的聚有機硅氧烷樹脂(1)，和

C) 使所述烷氧基官能化的聚有機硅氧烷樹脂(1)交聯以形成三維交聯的聚有機硅氧烷(4)，其中所述三維交聯的聚有機硅氧烷(4)的有機含量是最多25重量%，其中所述三維交聯的聚有機硅氧烷以密網眼的形式成型，

其中所述烷氧基官能化的聚有機硅氧烷樹脂(1)是烷氧基含量為17 +/- 4重量%的烷氧基官能化的甲基苯基硅樹脂，或者

其中烷氧基官能化的聚有機硅氧烷樹脂(1)是烷氧基含量為35 +/- 4重量%的烷氧基官能化的甲基硅樹脂。