[發明專利]清潔方法、半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及程序

在審

• 申請號: 201780023193.4
• 申請日: 2017-03-21
• 公開（公告）號: CN109075072A
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發明（設計）人: 曾根新;永戶雅也;龜田賢治;紺野光太郎
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;C23C16/40;C23C16/44;H01L21/3065
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍

具有(a)準備進行下述處理后的處理容器的工序，所述處理在襯底上形成包含碳或氮中的至少任一者的氧化膜；和(b)向處理容器內供給氟化氫氣體，將附著于處理容器內的包含碳或氮中的至少任一者的堆積物除去的工序，其中，在附著于處理容器內的堆積物的蝕刻速率變得大于存在于處理容器內的石英部件的蝕刻速率的條件下，進行(b)。

技術領域

本發明涉及清潔方法、半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及程序。

背景技術

作為半導體器件的制造工序的一個工序，有時進行在收容于處理容器內的襯底上形成膜的成膜處理。若進行成膜處理，則會在處理容器內的部件的表面附著堆積物。因此，有時進行向進行成膜處理后的處理容器內供給清潔氣體而將附著于處理容器內的堆積物除去的清潔處理。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2012-60036號公報

專利文獻2：日本特開2016-12701號公報

發明內容

發明要解決的課題

本發明的目的在于，提供能夠提高進行成膜處理后的處理容器內的清潔效率的技術。

用于解決課題的手段

根據本發明的一個方式，提供具有下述工序的技術：

(a)準備進行下述處理后的處理容器的工序，所述處理是在襯底上形成包含碳或氮中的至少任一者的氧化膜；和

(b)向上述處理容器內供給氟化氫氣體，將附著于上述處理容器內的包含碳或氮中的至少任一者的堆積物除去的工序，

其中，在附著于上述處理容器內的上述堆積物的蝕刻速率變得大于存在于上述處理容器內的石英部件的蝕刻速率的條件下，進行上述(b)。

發明的效果

根據本發明，能夠提高進行成膜處理后的處理容器內的清潔效率。

附圖說明

[圖1]為本發明的實施方式中優選使用的襯底處理裝置的立式處理爐的結構簡圖，是以縱剖面圖示出處理爐部分的圖。

[圖2]為本發明的實施方式中優選使用的襯底處理裝置的立式處理爐的一部分的結構簡圖，是以圖1的A-A線剖面圖示出處理爐的一部分的圖。

[圖3]為本發明的實施方式中優選使用的襯底處理裝置的控制器的結構簡圖，是以框圖示出控制器的控制系統的圖。

[圖4]為示出本發明的一個實施方式中的成膜處理的順序的圖。

[圖5]為示出本發明的一個實施方式中的清潔處理的順序的圖。

[圖6]為示出關于堆積物的蝕刻選擇性的第1評價結果的圖。

[圖7]為示出關于堆積物的蝕刻選擇性的第2評價結果的圖。

[圖8]為示出關于堆積物的蝕刻選擇性的第3評價結果的圖。

具體實施方式

<本發明的一個實施方式>

以下，使用圖1～圖5對本發明的一個實施方式進行說明。

(1)襯底處理裝置的構成

如圖1所示，處理爐202具有作為加熱機構(溫度調節部)的加熱器207。加熱器207為圓筒形狀，通過被支承于保持板而垂直地安裝。加熱器207也作為利用熱使氣體活化(激發)的活化機構(激發部)發揮功能。