[發明專利]清潔方法、半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及程序

在審

• 申請號: 201780023193.4
• 申請日: 2017-03-21
• 公開（公告）號: CN109075072A
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發明（設計）人: 曾根新;永戶雅也;龜田賢治;紺野光太郎
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;C23C16/40;C23C16/44;H01L21/3065
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍

1.清潔方法，其具有下述工序：

(a)準備進行了下述處理后的處理容器的工序，所述處理是在襯底上形成包含碳或氮中的至少任一者的氧化膜；和

(b)向所述處理容器內供給氟化氫氣體，將附著于所述處理容器內的包含碳或氮中的至少任一者的堆積物除去的工序，

其中，在附著于所述處理容器內的所述堆積物的蝕刻速率變得大于存在于所述處理容器內的石英部件的蝕刻速率的條件下，進行所述(b)。

2.如權利要求1所述的清潔方法，其中，在包含碳及氮中的至少任一者的氧化物的蝕刻速率變得大于碳及氮這兩者均不包含的氧化物的蝕刻速率的溫度下，進行所述(b)。

3.如權利要求2所述的清潔方法，其中，在碳及氮這兩者均不包含的氧化物的蝕刻幾乎不進行的溫度下，進行所述(b)。

4.如權利要求1所述的清潔方法，其中，在所述(b)中，使所述處理容器內的溫度為100℃以上且400℃以下。

5.如權利要求4所述的清潔方法，其中，在附著于所述處理容器內的所述堆積物的蝕刻速率變得大于存在于所述處理容器內的石英部件的蝕刻速率的壓力下，進行所述(b)。

6.如權利要求5所述的清潔方法，其中，在碳及氮這兩者均不包含的氧化物的蝕刻幾乎不進行的壓力下，進行所述(b)。

7.如權利要求6所述的清潔方法，其中，在以所述處理容器內的壓力成為10Torr以上且200Torr以下的壓力的方式對所述處理容器內進行了減壓的狀態下，進行所述(b)。

8.如權利要求4所述的清潔方法，其中，在利用所述氟化氫氣體進行的蝕刻處理具有規定的蝕刻選擇性的條件下，進行所述(b)。

9.如權利要求8所述的清潔方法，其中，在比形成所述膜的處理中的所述處理容器內的溫度高的溫度下，進行所述(b)。

10.如權利要求1所述的清潔方法，其中，在形成所述膜的處理中，將非同時地實施下述工序的循環實施規定次數：

對所述處理容器內的襯底供給包含規定元素的原料及催化劑的工序；和

對所述處理容器內的所述襯底供給反應體及催化劑的工序。

11.半導體器件的制造方法，其具有下述工序：

(a)在處理容器內的襯底上形成包含碳或氮中的至少任一者的氧化膜的工序；和

(b)向所述處理容器內供給氟化氫氣體，將附著于所述處理容器內的包含碳或氮中的至少任一者的堆積物除去的工序，

其中，在附著于處理容器內的所述堆積物的蝕刻速率變得大于存在于所述處理容器內的石英部件的蝕刻速率的條件下，進行所述(b)。

12.襯底處理裝置，其具有：

處理容器，其收容襯底；

第1供給系統，其對所述處理容器內的襯底供給成膜氣體；

第2供給系統，其向所述處理容器內供給氟化氫氣體；

加熱機構，其對所述處理容器內進行加熱；和

控制部，其控制所述第1供給系統、所述第2供給系統及所述加熱機構，以使得進行處理(a)和處理(b)，并且在附著于所述處理容器內的堆積物的蝕刻速率變得大于存在于所述處理容器內的石英部件的蝕刻速率的條件下進行所述處理(b)，其中，所述處理(a)是通過對所述處理容器內的襯底供給所述成膜氣體，從而在所述襯底上形成包含碳或氮中的至少任一者的氧化膜的處理，所述處理(b)是向所述處理容器內供給所述氟化氫氣體而將附著于所述處理容器內的包含碳或氮中的至少任一者的所述堆積物除去的處理。

13.程序，其通過計算機而使襯底處理裝置執行下述步驟：

(a)在處理容器內的襯底上形成包含碳或氮中的至少任一者的氧化膜的步驟；和

(b)向所述處理容器內供給氟化氫氣體，將附著于所述處理容器內的包含碳或氮中的至少任一者的堆積物除去的步驟，

并且，在附著于所述處理容器內的所述堆積物的蝕刻速率變得大于存在于所述處理容器內的石英部件的蝕刻速率的條件下，通過所述計算機而使所述襯底處理裝置執行所述(b)。