[發明專利]純化方法及純化裝置有效
| 申請號： | 201780021917.1 | 申請日： | 2017-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN109414629B | 公開（公告）日： | 2021-06-29 |
| 發明（設計）人： | 川上祥子;北野靖;安部寬太 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | B01D7/00 | 分類號： | B01D7/00;B01D1/00 |
| 代理公司： | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人： | 賈成功 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 純化 方法 裝置 | ||
1.一種使用純化裝置的純化方法，該純化裝置包括：
通過使物質氣化進行純化的純化部；
設置在所述純化部的溫度調節單元；
設置在所述純化部的一個端部并具有對所述純化部內供應氣體的功能的氣體供應單元；以及
設置在所述純化部的另一個端部并具有從所述純化部內排出氣體的功能的氣體排出單元，
該純化方法包括如下步驟：
使用所述氣體排出單元，將所述純化部內設定為第一壓力；
使用所述溫度調節單元，設定所述純化部的溫度梯度，純化所述物質；
在純化所述物質之后，使用所述氣體供應單元，將所述純化部內的壓力設定為第二壓力；以及
在將所述純化部內的壓力設定為所述第二壓力之后，使用所述溫度調節單元，冷卻所述純化部，
其中，所述第二壓力高于所述第一壓力，
并且，所述第二壓力為大氣壓以上。
2.根據權利要求1所述的純化方法，
其中所述第一壓力為10Pa以下。
3.根據權利要求2所述的純化方法，
其中所述第一壓力為0.1Pa以上。
4.根據權利要求1所述的純化方法，
其中對所述純化部進行加熱，將所述純化部內的一部分的溫度設定為150℃以上且500℃以下。
5.一種純化裝置，包括：
使物質氣化進行純化的純化部；
設置在所述純化部的溫度調節單元；
設置在所述純化部的一個端部并具有對所述純化部內供應氣體的功能的氣體供應單元；
設置在所述純化部的另一個端部并具有從所述純化部內排出氣體的功能的氣體排出單元；以及
控制系統，
其中，所述控制系統具有控制所述氣體供應單元、所述氣體排出單元及所述溫度調節單元的功能，
所述控制系統具有控制所述氣體排出單元來將所述純化部內設定為第一壓力的功能，
所述控制系統具有控制所述溫度調節單元來設定所述純化部的溫度梯度的功能，
所述控制系統具有控制所述氣體供應單元來在純化所述物質之后將所述純化部內的壓力設定為第二壓力的功能，
在將所述純化部內的壓力設定為所述第二壓力之后，所述控制系統具有控制所述溫度調節單元來冷卻所述純化部的功能，
所述第二壓力高于所述第一壓力，
并且，所述第二壓力為大氣壓以上。
6.根據權利要求5所述的純化裝置，
其中所述第一壓力為10Pa以下。
7.根據權利要求6所述的純化裝置，
其中所述第一壓力為0.1Pa以上。
8.根據權利要求5所述的純化裝置，
其中對所述純化部進行加熱，將所述純化部內的一部分的溫度設定為150℃以上且500℃以下。
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