[發明專利]用于沉積的掩模和使用其的OLED面板

有效

• 申請號: 201780021805.6
• 申請日: 2017-03-23
• 公開（公告）號: CN109314192B
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發明（設計）人: 孫曉源;樸宰奭
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/00;C23C14/04
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 杜誠;劉敏

1.一種沉積掩模，包括金屬板，

其中，所述金屬板包括：有效區域，所述有效區域具有多個通孔和介于所述通孔之間的橋；以及設置在所述有效區域的外部處的非有效區域，以及

其中，每個通孔在連接部分中形成，在所述連接部分中，形成在第一表面中的第一表面孔與形成在第二表面中的第二表面孔接觸，所述第二表面與所述第一表面相對，

所述第一表面孔的寬度小于所述第二表面孔的寬度，

所述第一表面孔的深度小于所述第二表面孔的深度，

其中，所述非有效區域包括位置更靠近所述金屬板的縱向方向上的一端的第一半蝕刻部分和位置更靠近與所述一端相對的另一端的第二半蝕刻部分，

其中，所述第一半蝕刻部分和所述第二半蝕刻部分大于從所述第一表面至所述連接部分的深度，并且小于所述第二表面孔的深度，

其中，所述第一半蝕刻部分和所述第二半蝕刻部分在所述金屬板的所述第一表面上形成，以及

在等式1中計算的k值在從0.65或更大至小于1的范圍內，

等式1

其中，T表示在所述非有效區域中測量的所述沉積掩模的厚度，

H1表示在介于所述通孔之中的兩個相鄰通孔之間的橋具有最大厚度的點處從所述連接部分起在所述第一表面的方向上限定的厚度，以及

H2表示在介于所述兩個相鄰通孔之間的所述橋具有最大厚度的點處從所述連接部分起在所述第二表面的方向上限定的厚度，

其中，所述第一半蝕刻部分和所述第二半蝕刻部分中的每一個包括在所述沉積掩模的垂直方向上延伸的直線部分，以及通過連接所述直線部分的兩個端部而形成的彎曲部分，

其中，所述彎曲部分具有在水平拉伸方向上突出的形狀。

2.根據權利要求1所述的沉積掩模，其中，通過等式1計算的所述k值在從0.8或更大至小于1的范圍內。

3.根據權利要求1所述的沉積掩模，其中，所述沉積掩模的厚度在10μm至50μm的范圍內。

4.根據權利要求1所述的沉積掩模，其中，所述沉積掩模的厚度在10μm至30μm的范圍內。

5.根據權利要求1所述的沉積掩模，其中，所述第一表面孔的深度與所述沉積掩模的厚度的關系比是1：(3至30)。

6.根據權利要求1所述的沉積掩模，其中，將所述連接部分的一端處的預定點與所述第二表面孔的一端處的預定點連接的線的傾斜角度在20°至70°的范圍內。

7.根據權利要求1所述的沉積掩模，其中，所述第一表面孔的寬度與所述連接部分的寬度之間的差在0.2μm至14μm的范圍內。

8.根據權利要求1所述的沉積掩模，其中，所述第一表面孔的所述一端處的預定點與所述連接部分的所述一端處的預定點之間的垂直距離在0.1μm至7μm的范圍內。

9.根據權利要求1所述的沉積掩模，其中，所述第一表面孔在所述第一表面中的開口區域的邊緣部分處具有彎曲，并且通過延伸所述邊緣部分的倒圓部的彎曲而形成的虛擬圓的直徑在5μm至20μm的范圍內。

10.根據權利要求1所述的沉積掩模，其中，所述沉積掩模包括鐵-鎳(Fe-Ni)合金。

11.根據權利要求1所述的沉積掩模，其中，等式1中的H1和H2是在介于所述通孔之中的在對角線方向上彼此相鄰的兩個通孔之間的橋中測量的厚度。

12.根據權利要求1所述的沉積掩模，其中，所述第一表面孔的寬度在20μm至50μm的范圍內，

所述第二表面孔的寬度在50μm至90μm的范圍內，

所述第一表面孔的深度在0.1μm至7μm的范圍內，以及

所述第二表面孔的深度在20μm至25μm的范圍內。