[發(fā)明專利]圖案化設(shè)備冷卻系統(tǒng)以及熱調(diào)節(jié)圖案化設(shè)備的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780019458.3
• 申請日: 2017-02-16
• 公開（公告）號: CN108885406B
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: H·E·塞克利;G·納基伯格魯;F·J·J·范博克斯特爾;J-P·X·范達(dá)梅;R·J·F·范哈倫
• 申請（專利權(quán)）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華;張昊

1.一種圖案化設(shè)備冷卻系統(tǒng)，用于熱調(diào)節(jié)光刻裝置的圖案化設(shè)備，其中所述圖案化設(shè)備在使用中被曝光輻射所照射，其中所述圖案化設(shè)備冷卻系統(tǒng)包括：

熱調(diào)節(jié)器，被配置為熱調(diào)節(jié)所述圖案化設(shè)備；以及

控制器，被配置為根據(jù)被所述圖案化設(shè)備吸收的所述曝光輻射的量來控制所述熱調(diào)節(jié)器，以至少：

熱調(diào)節(jié)所述圖案化設(shè)備以用于襯底堆疊的第一層的曝光，并且

熱調(diào)節(jié)所述圖案化設(shè)備以用于所述襯底堆疊的第二層的曝光，

其中所述熱調(diào)節(jié)被控制為使得所述圖案化設(shè)備用于所述第一層的曝光的溫度的變化匹配于所述圖案化設(shè)備用于所述第二層的曝光的溫度的變化。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化設(shè)備冷卻系統(tǒng)，其中所述控制器被配置為根據(jù)以下項中的至少一項來控制所述熱調(diào)節(jié)器：

每單位時間入射到用于所述第一層的曝光和/或用于所述第二層的曝光的所述圖案化設(shè)備上的所述曝光輻射的量；

入射到用于所述第一層的曝光和/或用于所述第二層的曝光的所述圖案化設(shè)備上的所述曝光輻射中的、由用于所述第一層的曝光和/或用于所述第二層的曝光的所述圖案化設(shè)備吸收的比例；

通過所述曝光輻射掃描用于所述第一層的曝光和/或用于所述第二層的曝光的所述圖案化設(shè)備的掃描速度；以及

曝光路徑的長度，用于所述第一層的曝光和/或用于所述第二層的曝光的所述圖案化設(shè)備由所述曝光輻射沿著所述曝光路徑進(jìn)行掃描。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化設(shè)備冷卻系統(tǒng)，其中所述熱調(diào)節(jié)器包括噴嘴，所述噴嘴被配置為向用于所述第一層的曝光和/或用于所述第二層的曝光的所述圖案化設(shè)備提供作為熱調(diào)節(jié)流的氣體，并且其中所述控制器被配置為控制以下項中的至少一項：

由所述熱調(diào)節(jié)器提供的所述氣體的溫度；以及

由所述熱調(diào)節(jié)器提供的所述氣體的流率。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的圖案化設(shè)備冷卻系統(tǒng)，還包括位于所述圖案化設(shè)備上方的清洗板。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的圖案化設(shè)備冷卻系統(tǒng)，還包括抽氣機(jī)，所述抽氣機(jī)形成在清洗板中，并且所述抽氣機(jī)被配置為抽取所述圖案化設(shè)備上方的氣體流。

6.一種熱調(diào)節(jié)光刻裝置的圖案化設(shè)備的方法，所述圖案化設(shè)備在使用中被曝光輻射所照射，所述方法包括：

根據(jù)被所述圖案化設(shè)備吸收的所述曝光輻射的量來熱調(diào)節(jié)所述圖案化設(shè)備以用于襯底堆疊的第一層的曝光；以及

根據(jù)被所述圖案化設(shè)備吸收的所述曝光輻射的量來熱調(diào)節(jié)所述圖案化設(shè)備以用于所述襯底堆疊的第二層的曝光，

其中所述熱調(diào)節(jié)被控制為使得所述圖案化設(shè)備用于所述第一層的曝光的溫度的變化匹配于所述圖案化設(shè)備用于所述第二層的曝光的溫度的變化。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，包括：根據(jù)至少一個物理量來熱調(diào)節(jié)用于所述第一層的曝光和/或用于所述第二層的曝光的所述圖案化設(shè)備，所述至少一個物理量表示以下項中的至少一項：

每單位時間入射到用于所述第一層的曝光和/或用于所述第二層的曝光的所述圖案化設(shè)備上的所述曝光輻射的量；

入射到用于所述第一層的曝光和/或用于所述第二層的曝光的所述圖案化設(shè)備上的所述曝光輻射中的、由用于所述第一層的曝光和/或用于所述第二層的曝光的所述圖案化設(shè)備吸收的比例；

通過所述曝光輻射掃描用于所述第一層的曝光和/或用于所述第二層的曝光的所述圖案化設(shè)備的掃描速度；以及

曝光路徑的長度，用于所述第一層的曝光和/或用于所述第二層的曝光的所述圖案化設(shè)備由所述曝光輻射沿著所述曝光路徑進(jìn)行掃描。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括：

向用于所述第一層的曝光和/或用于所述第二層的曝光的所述圖案化設(shè)備提供作為熱調(diào)節(jié)流的氣體；以及

控制以下項中的至少一項：

向用于所述第一層的曝光和/或用于所述第二層的曝光的所述圖案化設(shè)備提供的所述氣體的溫度；以及

向用于所述第一層的曝光和/或用于所述第二層的曝光的所述圖案化設(shè)備提供的所述氣體的流率。