[發明專利]識別鑰生成裝置及其管理方法

有效

• 申請號: 201780018446.9
• 申請日: 2017-01-19
• 公開（公告）號: CN108886470B
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發明（設計）人: 崔秉德;金東奎
• 申請（專利權）人: ICTK控股有限公司;漢陽大學校產學協力團
• 主分類號: H04L9/32
• 分類號: H04L9/32;H04L9/08;G06K9/00
• 代理公司: 北京尚倫律師事務所 11477
• 代理人: 張俊國

本發明提供一種識別鑰生成裝置及其管理方法，其根據起源于半導體的工程偏差的所述半導體的導電層之間的任意連接狀態生成的多個阻力(resistance)；在所述多個阻力中判別比第一臨界值大，比第二臨界值小的阻力值的第一組；通過判讀在所述多個阻力中不屬于所述第一組的至少一個阻力，判讀數據值形態的識別鑰，從而提高可靠性。

技術領域

本發明涉及數據保安領域，進一步具體地，涉及使用于密碼化及解擾方法及數據簽名等的識別鑰生成裝置及其管理方法。

背景技術

PUF(Physically Unclonable Function)可提供不可預測(Unpredictable)的數據值。各個PUF被供正確的制造工程，且及時在相同等的工程被制造，所述各個PUF所提供的數據值不同。

PUF可被稱為不可復制的POWF(Physical One-Way Function practicallyimpossible to be duplicated)或PRF(Physical Random Function)。

這種PUF的特性可利用為生成用于保安及/或認證的加密鑰匙。也就是說，為提供用于對設備與另一個設備進行區分的唯一鍵(Unique key to distinguish devices fromone another)，可利用PUF。

目前，在韓國注冊專利10-1139630號(以下'630專利)以提出實現PUF的方法。在'630專利，提出了利用半導體的工程變異，概率性地決定半導體層(Conductive layers orconductive nodes)之間夾層接觸(Inter-layer contact)或通過(via)是否生成，生成PUF的方法。

在'630專利提出的實施列之一為通過將形成在導電層之間的通過(Via)尺寸設計地小，使通過被形成的情況與不被形成的情況隨機發生。從而，生成出了不能進行人為的推測的隨機數據值。

發明內容

用于解決問題的手段

根據一個側面，識別鑰生成裝置，包括：識別鑰提供部，提供根據起源于半導體的工程偏差的所述半導體的導電層之間的任意連接狀態生成的多個阻力(resistance)；判別部，在所述多個阻力中判別具有比第一臨界值大，比第二臨界值小的阻力值的第一組；及判讀部，通過判讀在所述多個阻力中不屬于所述第一組的至少一個阻力，提供數據值形態的識別鑰。

根據一個實施列，識別鑰生成裝置，進一步包括：控制器，在所述多個阻力中，將識別包括在所述第一組的阻力的信息記錄在儲存器。根據一個實施列，所述的識別包括在第一組的阻力的所述信息為包括在所述多個阻力中的所述第一組的阻力的地址。

根據一個實施列，所述的多個阻力為配置于所述導電層之間的接觸或通過中的任何一個。

根據一個實施列，所述判別部，包括：第一判別元素，在第1時間區間，用于判別所述多個阻力的各個大小是否大于所述第一臨界值；及第二判別元素，在與所述第一時間區間相異的第二時間區間，用于判別所述多個阻力的各個大小是否大于所述第二臨界值。

根據一個實施列，所述判別部，進一步包括：第三判別元素，判別所述多個阻力的各個大小是否大于第三臨界值，所述判讀部在所述多個阻力中，對不屬于所述第一組的至少一個阻力，利用與所述第三臨界值的比較結果，提供識別鑰，所述第三臨界值大于所述第一臨界值，且小于所述第二臨界值。

根據另一個側面，識別鑰生成裝置，包括:識別鑰提供部，提供根據起源于半導體的工程偏差的所述半導體的導電層之間的任意連接狀態生成的多個阻力(resistance)；判別部，在選擇晶體管關閉(off)狀態下，利用將被認可至所述多個阻力的輸出電壓上拉至供給電壓的上拉阻力，在所述多個阻力中，判別比第一臨界值大，比第二臨界值小的阻力值的第一組；及