[發(fā)明專利]識(shí)別鑰生成裝置及其管理方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780018446.9
• 申請(qǐng)日: 2017-01-19
• 公開（公告）號(hào): CN108886470B
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔秉德;金東奎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: ICTK控股有限公司;漢陽(yáng)大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán)
• 主分類號(hào): H04L9/32
• 分類號(hào): H04L9/32;H04L9/08;G06K9/00
• 代理公司: 北京尚倫律師事務(wù)所 11477
• 代理人: 張俊國(guó)

1.一種識(shí)別鑰生成裝置，包括：

識(shí)別鑰提供部，提供根據(jù)起源于半導(dǎo)體的工程偏差的所述半導(dǎo)體的導(dǎo)電層之間的任意連接狀態(tài)生成的多個(gè)阻力(resistance)；

判別部，在所述多個(gè)阻力中判別具有比第一臨界值大，比第二臨界值小的阻力值并且與第三臨界值的幅值比較不能保障時(shí)不變性的第一組；以及

判讀部，通過(guò)判讀在所述多個(gè)阻力中不屬于所述第一組的至少一個(gè)阻力，提供數(shù)據(jù)值形態(tài)的識(shí)別鑰，

其中所述第三臨界值大于所述第一臨界值且小于所述第二臨界值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的識(shí)別鑰生成裝置，進(jìn)一步包括：

控制器，在所述多個(gè)阻力中，將識(shí)別包括在所述第一組的阻力的信息記錄在儲(chǔ)存器。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的識(shí)別鑰生成裝置，其中，所述的識(shí)別包括在第一組的阻力的所述信息為包括在所述多個(gè)阻力中的所述第一組的阻力的地址。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的識(shí)別鑰生成裝置，其中，所述的多個(gè)阻力為配置于所述導(dǎo)電層之間的接觸或通過(guò)中的任何一個(gè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的識(shí)別鑰生成裝置，其中，所述判別部，包括：

第一判別元素，在第1時(shí)間區(qū)間，用于判別所述多個(gè)阻力的各個(gè)大小是否大于所述第一臨界值；以及

第二判別元素，在與所述第一時(shí)間區(qū)間相異的第二時(shí)間區(qū)間，用于判別所述多個(gè)阻力的各個(gè)大小是否大于所述第二臨界值。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的識(shí)別鑰生成裝置，其中，所述判別部，進(jìn)一步包括：

第三判別元素，判別所述多個(gè)阻力的各個(gè)大小是否大于所述第三臨界值，

所述判讀部在所述多個(gè)阻力中，對(duì)不屬于所述第一組的至少一個(gè)阻力，利用與所述第三臨界值的比較結(jié)果，提供識(shí)別鑰，

所述第三臨界值大于所述第一臨界值，且小于所述第二臨界值。

7.一種識(shí)別鑰生成裝置，包括:

識(shí)別鑰提供部，提供根據(jù)起源于半導(dǎo)體的工程偏差的所述半導(dǎo)體的導(dǎo)電層之間的任意連接狀態(tài)生成的多個(gè)阻力(resistance)；

判別部，在選擇晶體管關(guān)閉(off)狀態(tài)下，利用將被認(rèn)可至所述多個(gè)阻力的輸出電壓上拉至供給電壓的上拉阻力，在所述多個(gè)阻力中，判別比第一臨界值大，比第二臨界值小的阻力值并且與第三臨界值的幅值比較不能保障時(shí)不變性的第一組；以及

判讀部，所述多個(gè)阻力中，通過(guò)判讀不屬于所述第一組的至少一個(gè)阻力，提供數(shù)據(jù)值形態(tài)的識(shí)別鑰，

其中所述第三臨界值大于所述第一臨界值且小于所述第二臨界值。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的識(shí)別鑰生成裝置，其中，

所述判別部，在所述多個(gè)阻力中，所述選擇晶體管被打開之后，將所述輸出電壓放電到臨界電壓以下時(shí)所需的時(shí)間比第一臨界時(shí)間大，比第二臨界時(shí)間小的阻力判別為第一組。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的識(shí)別鑰生成裝置，其中，所述判讀部，在所述多個(gè)阻力中利用不屬于所述第一組的至少一個(gè)阻力，根據(jù)所述輸出電壓放電至所述臨界電壓以下時(shí)所需的時(shí)間與第三臨界時(shí)間進(jìn)行比較的結(jié)果，判讀所述識(shí)別鑰，

所述第三臨界時(shí)間大于第一臨界時(shí)間，且小于第二臨界時(shí)間。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的識(shí)別鑰生成裝置，其中，所述判別部在所述多個(gè)阻力中，將所述選擇晶體管被打開之后，將預(yù)定標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間被消耗之后的所述輸出電壓大于第一臨界電壓，小于第二臨界電壓的阻力判別為第一組。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的識(shí)別鑰生成裝置，其中，所述判讀部在所述多個(gè)阻力中，通過(guò)利用不屬于所述第一組的至少一個(gè)阻力，根據(jù)將所述輸出電壓與第三臨界電壓進(jìn)行比較的結(jié)果判讀所述識(shí)別鑰，

所述第三臨界電壓大于所述第一臨界電壓，小于所述第二臨界電壓。