[發(fā)明專利]導電材料及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780018209.2 | 申請日: | 2017-02-27 |
| 公開(公告)號: | CN108884582A | 公開(公告)日: | 2018-11-23 |
| 發(fā)明(設計)人: | 沼田昂真;真島正利;粟津知之;小川光靖;野平俊之;安田幸司;法川勇太郎 | 申請(專利權)人: | 住友電氣工業(yè)株式會社;國立大學法人京都大學 |
| 主分類號: | C25D3/66 | 分類號: | C25D3/66 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 11112 | 代理人: | 張?zhí)K娜;樊曉煥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 導電材料 導電性 基材表面 平均膜厚 基材 鈦膜 制造 | ||
本發(fā)明提供了一種導電材料,該導電材料具有位于基材表面上的平均膜厚為1μm至300μm的鈦膜,其中該基材至少在其表面具有導電性。
技術領域
本公開涉及導電材料及其制造方法。本申請要求于2016年3月18日提交的日本專利申請No.2016-055432以及于2016年6月29日提交的日本專利申請No.2016-128561的優(yōu)先權,這些專利申請的全部內(nèi)容以引用方式并入本文。
背景技術
鈦是一種具有優(yōu)異的耐腐蝕性、耐熱性和比強度的金屬。然而,鈦的生產(chǎn)成本高且難以熔煉和加工,這妨礙了鈦的廣泛應用。作為利用鈦和鈦化合物的高耐腐蝕性、高強度和其他性質(zhì)的方法之一,目前工業(yè)上的某些情況中采用了諸如化學氣相沉積(CVD)和物理氣相沉積(PVD)之類的干式沉積。然而,這種沉積不能應用于復雜形狀的基板。作為能夠解決這一問題的鈦沉積方法,可使用在熔融鹽中電沉積鈦。
可用于鈦的電沉積的各種類型的熔融鹽浴是已知的,并且人們對此正在進行研究。例如,非專利文獻1描述了通過使用添加有K2TiF6的LiF-NaF-KF熔融鹽浴從而在Ni或Fe表面上形成鈦膜的方法。非專利文獻2描述了通過使用添加有TiCl3的LiCl-KCl熔融鹽浴從而在Au或Ni表面上形成鈦膜的方法。非專利文獻3描述了通過使用添加有K2TiF6的LiCl-NaCl-KCl熔融鹽浴從而在SUS304表面上形成鈦膜的方法。此外,日本專利待審查公開No.2015-193899(專利文獻1)描述了通過使用添加有K2TiF6或TiO2的KF-KCl熔融鹽浴從而在Fe線的表面上形成Fe和Ti的合金膜。
此外,通過使用熔融鹽浴從而在基材上析出高純度金屬鈦的熔煉方法也是已知的。例如,日本專利待審查公開No.08-225980(專利文獻2)描述了通過使用添加有TiCl4的NaCl浴作為熔融鹽浴從而在Ni表面上析出高純度鈦的方法。另外,日本專利待審查公開No.09-071890(專利文獻3)描述了通過使用NaCl浴或Na-KCl浴從而在鈦棒的表面上析出高純度鈦的方法。
引用列表
專利文獻
專利文獻1:日本專利待審查公開No.2015-193899
專利文獻2:日本專利待審查公開No.08-225980
專利文獻3:日本專利待審查公開No.09-071890
非專利文獻
非專利文獻1:Robin等人,Electrolytic Coating of Titanium onto Iron andNickel Electrodes in the Molten LiF+NaF+KF Eutectic,Journal ofElectroanalytical Chemistry and Interfacial Electrochemistry,1987,第230卷,第125-141頁
非專利文獻2:Hiroshi Takamura等人,Smooth and Fine Electrodepositionof Titanium from LiCl-KCl-TiCl3Melt,Journal of the Japan Institute of Metalsand Materials,1996,第60卷,第4期,第388-397頁
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于住友電氣工業(yè)株式會社;國立大學法人京都大學,未經(jīng)住友電氣工業(yè)株式會社;國立大學法人京都大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201780018209.2/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





