[發明專利]導電材料及其制造方法

在審

• 申請號: 201780018209.2
• 申請日: 2017-02-27
• 公開（公告）號: CN108884582A
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 沼田昂真;真島正利;粟津知之;小川光靖;野平俊之;安田幸司;法川勇太郎
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社;國立大學法人京都大學
• 主分類號: C25D3/66
• 分類號: C25D3/66
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張蘇娜;樊曉煥

1.一種導電材料，包括：

基材，該基材至少在其表面具有導電性；以及

位于所述基材的所述表面上的鈦膜，該鈦膜的平均膜厚為1μm以上300μm以下。

2.根據權利要求1所述的導電材料，其中，當在所述導電材料的表面上的任意五個位置中的每個位置處測量所述鈦膜的厚度時，在所述任意五個位置中的每個位置處測得的鈦膜的最大厚度和最小厚度在所述平均膜厚的±50％之內。

3.根據權利要求1或2所述的導電材料，其中

所述鈦膜包括：

鈦層；以及

包含合金的鈦合金層，所述合金為鈦和包含于所述基材中的金屬的合金，并且

所述鈦合金層設置于所述鈦層和所述基材之間。

4.一種根據權利要求1至3中任一項所述的導電材料的制造方法，所述方法包括：

制備含有KF、KCl和K₂TiF₆的熔融鹽浴的熔融鹽浴形成步驟；

向所述熔融鹽浴中供給Ti，以使所述Ti溶解于所述熔融鹽浴中的溶解步驟；以及

通過使用設置于溶解有所述Ti的所述熔融鹽浴中的陰極和陽極進行熔融鹽電解，以使Ti電沉積在所述陰極的表面上的電解步驟，

在所述溶解步驟中，Ti的供應量至少為使所述熔融鹽浴中的Ti⁴⁺通過歸中反應而成為Ti³⁺所需要的最小量，其中該歸中反應由下式(1)表示：

式(1)：

3Ti⁴⁺+Ti金屬→4Ti³⁺，

在所述電解步驟中，使用這樣的基材作為所述陰極，該基材至少在其表面具有導電性。

5.根據權利要求4所述的導電材料的制造方法，其中KF和KCl的摩爾混合比為10:90至90:10。

6.根據權利要求4或5所述的導電材料的制造方法，其中所述熔融鹽浴中K₂TiF₆的含量為0.1摩爾％以上。

7.根據權利要求4至6中任意一項所述的導電材料的制造方法，其中所述溶解步驟中供給的Ti為海綿鈦。

8.根據權利要求4至7中任意一項所述的導電材料的制造方法，其中所述陽極由Ti制成。