[發明專利]電子材料用高純度吡啶的生產方法

有效

• 申請號: 201780017102.6
• 申請日: 2017-03-14
• 公開（公告）號: CN108780737B
• 公開（公告）日: 2022-12-09
• 發明（設計）人: 李范鎮;李祐鏞;李承鏞
• 申請（專利權）人: 德山株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京三幸商標專利事務所(普通合伙) 11216
• 代理人: 劉卓然

1.一種電子材料用高純度吡啶的生產方法，其特征在于，包括：

預處理步驟，向包含吡啶和吡嗪的吡啶混合物添加氨基化合物進行反應；以及，蒸餾步驟，在上述預處理步驟之后對吡啶混合物進行蒸餾；

其中，上述氨基化合物的化學式為ANH₂且A為堿金屬，

上述預處理步驟的執行時間，是通過對添加氨基化合物的吡啶混合物的顏色變化進行觀察而決定，

上述預處理步驟，是因為添加氨基鈉而呈現出黃色的吡啶混合物隨著反應的進行變化成深褐色或古銅色為止持續執行。

2.根據權利要求1所述的電子材料用高純度吡啶的生產方法，其特征在于：

上述電子材料用高純度吡啶的生產方法，還包括：水分去除步驟，在上述預處理步驟之前對包含在吡啶混合物中的水進行去除；

借此，防止在上述預處理步驟中氨基化合物與吡嗪的反應效率下降。

3.根據權利要求1所述的電子材料用高純度吡啶的生產方法，其特征在于：

上述預處理步驟，是通過將添加氨基化合物的吡啶混合物加熱至110至150℃而執行。

4.根據權利要求1所述的電子材料用高純度吡啶的生產方法，其特征在于：

在上述蒸餾步驟中，是以115至118℃的溫度進行蒸餾。

5.根據權利要求2所述的電子材料用高純度吡啶的生產方法，其特征在于：

在上述水分去除步驟中對水分進行去除時，是利用蒸餾或分離膜去除水分。

6.根據權利要求1所述的電子材料用高純度吡啶的生產方法，其特征在于：

作為上述氨基化合物，使用氨基鈉或氨基鋰。

7.一種電子材料用高純度吡啶，其特征在于：

利用權利要求1至權利要求6中任一項所記載的方法進行生產。

8.根據權利要求7所述的電子材料用高純度吡啶，其特征在于：

上述電子材料用高純度吡啶在315nm波長下的吸光度為0.01至0.01。

9.根據權利要求7所述的電子材料用高純度吡啶，其特征在于：

上述電子材料用高純度吡啶的純度為99.999％。