[發明專利]用于鐵電存儲器單元感測的偏移補償

有效

• 申請號: 201780016652.6
• 申請日: 2017-03-10
• 公開（公告）號: CN108885891B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發明（設計）人: D·維梅爾卡蒂
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C11/22
• 分類號: G11C11/22;G11C7/06
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請案涉及用于鐵電存儲器單元感測的偏移補償。描述用于操作(若干)鐵電存儲器單元的方法、系統及裝置。可通過使用各種操作技術或額外電路組件或兩者來補償經連接到數字線的切換組件(例如，晶體管)的閾值電壓的偏移。例如，經連接到數字線的切換組件還可連接到經選擇以補償閾值電壓偏移的偏移電容器。所述偏移電容器可結合讀取操作放電，從而導致施加到所述切換組件的閾值電壓。這可使所述鐵電存儲器單元的全部或實質上全部經存儲電荷能夠被提取且經由所述晶體管轉移到感測電容器。感測放大器可比較所述感測電容器的電壓與參考電壓以便確定所述存儲器單元的經存儲邏輯狀態。

交叉參考

本專利申請案主張2017年3月10日申請的第PCT/US2017/021884號PCT申請案的優先權，所述PCT申請案主張2016年3月11日申請的維梅爾卡蒂(Vimercati)的標題為“用于鐵電存儲器單元感測的偏移補償(Offset Compensation for Ferroelectric Memory CellSensing)”的讓渡給其受讓人的第15/067,838號美國專利申請案的優先權，所述案中的每一者的全文以引用的方式的并入本文中。。

技術領域

技術領域涉及用于鐵電存儲器單元感測的偏移補償。

背景技術

下文大體上涉及存儲器裝置，且更具體來說，涉及用于鐵電存儲器單元感測的偏移補償。

存儲器裝置廣泛用于將信息存儲于各種電子裝置中，例如計算機、無線通信裝置、攝像機、數字顯示器及類似物。通過對存儲器裝置的不同狀態進行編程而存儲信息。例如，二進制裝置具有兩個狀態，其通常通過邏輯“1”或邏輯“0”表示。在其它系統中，可存儲兩個以上狀態。為存取所存儲的信息，電子裝置可讀取(或感測)存儲器裝置中的存儲狀態。為存儲信息，電子裝置可將狀態寫入(或編程)于存儲器裝置中。

存在多個類型的存儲器裝置，包含隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態RAM(DRAM)、同步動態RAM(SDRAM)、鐵電RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)、快閃存儲器等等。存儲器裝置可為易失性或非易失性。非易失性存儲器(例如，快閃存儲器)可甚至在不存在外部電源的情況下存儲數據達延長時段。易失性存儲器裝置(例如，DRAM)可隨時間丟失其存儲狀態，除非其通過外部電源周期性刷新。二進制存儲器裝置可(例如)包含充電或放電電容器。充電電容器可隨時間經由泄漏電流放電，導致存儲信息的丟失。易失性存儲器的特定特征可提供性能優勢，例如更快的讀取或寫入速度，而非易失性存儲器的特征(例如在無周期性刷新的情況下存儲數據的能力)可為有利的。

FeRAM可使用類似于易失性存儲器的裝置架構，但可因為使用鐵電電容器作為存儲裝置而具有非易失性性質。因此，相較于其它非易失性及易失性存儲器裝置，FeRAM裝置可具有改進性能。然而，一些FeRAM感測方案可在確定經存儲邏輯狀態時僅提取鐵電電容器的存儲電荷的部分。這可降低感測操作的可靠性或可限制原本可實現的存儲器單元(或陣列)大小減小。

發明內容

描述一種用于操作鐵電存儲器單元的方法。在一些實例中，所述方法可包含使與所述鐵電存儲器單元電子通信的數字線虛擬接地；將與第一切換組件電子通信的第一偏移電容器放電；及經由所述第一切換組件將所述鐵電存儲器單元的經存儲電荷轉移到感測電容器，其中在所述數字線虛擬接地時且在所述第一偏移電容器已放電之后轉移所述經存儲電荷。

描述一種電子存儲器設備。在一些實例中，所述設備可包含：第一p型場效晶體管(FET)；鐵電存儲器單元，其經由數字線與所述第一p型FET的源極電子通信；感測電容器，其經由第一切換組件與所述第一p型FET的漏極電子通信；及第一偏移電容器的第一端子，其與所述第一p型FET的柵極電子通信。