[發明專利]用于鐵電存儲器單元感測的偏移補償有效
| 申請號: | 201780016652.6 | 申請日: | 2017-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN108885891B | 公開(公告)日: | 2022-06-21 |
| 發明(設計)人: | D·維梅爾卡蒂 | 申請(專利權)人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | G11C11/22 | 分類號: | G11C11/22;G11C7/06 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 王龍 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 存儲器 單元 偏移 補償 | ||
1.一種操作鐵電存儲器單元的方法,其包括:
使與所述鐵電存儲器單元電子通信的數字線虛擬接地;
將與第一切換組件電子通信的第一偏移電容器放電;及
經由所述第一切換組件將所述鐵電存儲器單元的經存儲電荷轉移到感測電容器,其中在所述數字線虛擬接地時且在所述第一偏移電容器已放電之后轉移所述經存儲電荷。
2.根據權利要求1所述的方法,其中將所述第一偏移電容器放電包括:
激活所述第一切換組件。
3.根據權利要求2所述的方法,其進一步包括:
使用所述第一切換組件且至少部分基于將所述第一偏移電容器放電而將所述數字線維持于虛擬接地。
4.根據權利要求2所述的方法,其中所述第一切換組件包括p型場效晶體管FET,且其中所述第一偏移電容器的電容至少部分基于所述p型FET的閾值電壓,所述方法進一步包括:
至少部分基于將所述第一偏移電容器放電而施加所述閾值電壓到所述p型FET的柵極。
5.根據權利要求4所述的方法,其中將所述鐵電存儲器單元的所述經存儲電荷轉移到所述感測電容器包括:
經由第二切換組件連接所述p型FET的漏極與所述感測電容器;
選擇所述鐵電存儲器單元;及
施加電壓到所述鐵電存儲器單元的鐵電電容器。
6.根據權利要求5所述的方法,其中選擇所述鐵電存儲器單元包括:
激活與所述鐵電電容器及所述數字線電子通信的選擇組件,其中所述鐵電存儲器單元包括所述選擇組件及所述鐵電電容器。
7.根據權利要求4所述的方法,其中使所述數字線虛擬接地包括:
經由第二切換組件使所述數字線虛擬接地,其中所述數字線與所述p型FET的源極電子通信。
8.根據權利要求1所述的方法,其進一步包括:
激活與所述感測電容器電子通信的感測放大器;及
至少部分基于激活所述感測放大器而比較所述感測電容器的電壓與參考電壓。
9.根據權利要求1所述的方法,其進一步包括:
經由第二切換組件使所述第一偏移電容器的第一端子線虛擬接地,其中所述第一切換組件包括p型場效晶體管FET,且其中所述第一偏移電容器的所述第一端子與所述p型FET的柵極及所述p型FET的漏極電子通信;及
在所述第一端子虛擬接地時對所述第一偏移電容器的第二端子充電。
10.根據權利要求9所述的方法,其中將所述第一偏移電容器放電包括:
將所述第一偏移電容器的所述第一端子與虛擬接地電隔離;及
將所述第一偏移電容器的所述第二端子放電,其中所述放電將經存儲電荷從所述第一偏移電容器的所述第一端子轉移到所述p型FET的所述柵極。
11.根據權利要求10所述的方法,其中將所述第一偏移電容器的所述第二端子放電包括施加零電壓到所述第一偏移電容器的所述第二端子。
12.根據權利要求9所述的方法,其進一步包括:
經由第三切換組件使所述p型FET的所述漏極與所述p型FET的所述柵極電隔離。
13.根據權利要求1所述的方法,其進一步包括:
使與參考電路電子通信的參考數字線虛擬接地;
將與第二切換組件電子通信的第二偏移電容器放電,其中所述第一偏移電容器及所述第二偏移電容器與共同信號線電子通信;及
在所述參考數字線虛擬接地時且在所述第一偏移電容器已放電之后經由所述第二切換組件將所述參考電路的經存儲電荷轉移到參考電容器。
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