[發明專利]基板處理設備

有效

• 申請號: 201780015704.8
• 申請日: 2017-01-24
• 公開（公告）號: CN108780736B
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發明（設計）人: 金世英;權秀泳;劉真赫;趙炳夏;千珉鎬;黃喆周
• 申請（專利權）人: 周星工程股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/3065;H01J37/32;H01L21/67;H01L21/60
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 李琳;陳英俊

本發明涉及一種基板處理設備，用于噴射源氣體和反應氣體，所述設備包括：第一排放管路，排出相比于源氣體包含更多的反應氣體的第一廢氣；第二排放管路，排出相比于源氣體包含更多的反應氣體的第二廢氣；捕獲裝置，安裝在第一排放管路中；以及第三排放管路，連接到排放泵以排出穿過捕獲裝置的第一廢氣和穿過第二排放管路的第二廢氣。

技術領域

本發明涉及一種用于在基板上沉積薄膜的基板處理設備。

背景技術

通常，應該在基板表面上形成薄膜層、薄膜電路圖案或光學圖案，以制造太陽能電池、半導體裝置、平板顯示裝置等。為此，執行半導體制造工藝，并且半導體制造工藝的示例包括：在基板上沉積包括特定材料的薄膜的薄膜沉積工藝；通過使用光敏材料選擇性地曝光一部分薄膜的光學工藝；去除與選擇性曝光部分相對應的薄膜以形成圖案的蝕刻工藝等。

半導體制造工藝在基板處理設備內執行，該基板處理設備基于用于相應工藝的最佳環境而設計，近來，用于基于等離子體執行沉積或蝕刻工藝的基板處理設備被廣泛使用。

基于等離子體的基板處理設備的示例包括用于通過使用等離子體形成薄膜的等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備、用于蝕刻和將薄膜圖案化的等離子體蝕刻設備等。

圖1是現有技術的基板處理設備的示意性側視剖視圖。

參照圖1，現有技術的基板處理設備包括腔室10、等離子體電極20、基座30和氣體分配裝置40。

腔室10為基板處理工藝提供處理空間。在這種情況下，腔室10的兩個底面均與泵送口12連通以排放處理空間。

等離子體電極20安裝在腔室10上以密封處理空間。

等離子體電極20的一側通過配合構件22電連接到射頻(RF)電源24。在這種情況下，RF電源24產生RF電力并將RF電力供應給等離子體電極20。

此外，等離子體電極20的中心部分與供應用于基板處理工藝的源氣體和反應氣體的供氣管26連通。

配合構件22連接在等離子體電極20和RF電源24之間，并且使源阻抗與從RF電源24供應給等離子體電極20的RF電力的負載阻抗相匹配。

基座30安裝在腔室10中并支撐從外部載置的多個基板W。基座30是與等離子體電極20對置的對置電極，并且通過升高和降低基座30的升降軸32電接地。

用于加熱被支撐的基板W的基板加熱裝置(未示出)內置在基座30中，并且基板加熱裝置加熱基座30以加熱被基座30支撐的基板W的底部。

升降軸32通過升降裝置(未示出)在上下方向上升降。此時，升降軸32被波紋管34圍繞，波紋管34密封升降軸32和腔室10的底面。

氣體分配裝置40以與基座30對置的方式安裝在等離子體電極20的下方。在這種情況下，氣體擴散空間42設置在氣體分配裝置40和等離子體電極20之間，從穿過等離子體電極20的供氣管26供應的源氣體和反應氣體擴散到氣體擴散空間42。氣體分配裝置40將源氣體和反應氣體經由與氣體擴散空間42連通的多個氣體分配孔44均勻地分配到處理空間的整個部分。

現有技術的基板處理設備將基板W載置到基座30上，加熱載置到基座30上的基板W，將源氣體和反應氣體分配到腔室10的處理空間，并將RF電力供應給等離子體電極20以產生等離子體，從而在基板W上形成一定的薄膜。另外，在薄膜沉積工藝中分配到處理空間的源氣體和反應氣體流到基座30的邊緣，并經由設置在處理腔室10的兩個底面的每個底面中的泵送口12排出到處理腔室10的外部。

現有技術的基板處理設備具有以下問題。