[發(fā)明專利]基板處理設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780015704.8
• 申請(qǐng)日: 2017-01-24
• 公開（公告）號(hào): CN108780736B
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金世英;權(quán)秀泳;劉真赫;趙炳夏;千珉鎬;黃喆周
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 周星工程股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/3065;H01J37/32;H01L21/67;H01L21/60
• 代理公司: 北京鴻元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327
• 代理人: 李琳;陳英俊

1.一種基板處理設(shè)備，源氣體和反應(yīng)氣體被分配到所述基板處理設(shè)備，所述基板處理設(shè)備包括：

第一排放管路，排放包括所述反應(yīng)氣體和多于所述反應(yīng)氣體的所述源氣體的第一廢氣；

第二排放管路，排放包括所述源氣體和多于所述源氣體的所述反應(yīng)氣體的第二廢氣；

捕獲裝置，安裝在所述第一排放管路中，用于捕獲流入所述第一排放管路的所述源氣體；

第三排放管路，連接到排放泵以排放流經(jīng)所述捕獲裝置的所述第一廢氣和流經(jīng)所述第二排放管路的所述第二廢氣；以及

基板處理單元，所述基板處理單元執(zhí)行薄膜沉積工藝以在基板上沉積薄膜，所述薄膜沉積工藝將所述源氣體和所述反應(yīng)氣體分別分配到在空間上彼此分離的源氣體分配區(qū)域和反應(yīng)氣體分配區(qū)域，

所述基板處理單元包括：處理室，提供處理空間；基板支撐部，安裝在所述處理室中用以支撐至少一個(gè)基板；以及吹掃氣體分配單元，將吹掃氣體分配到所述源氣體分配區(qū)域與所述反應(yīng)氣體分配區(qū)域之間的空間，以在空間上分離所述源氣體分配區(qū)域和所述反應(yīng)氣體分配區(qū)域，

所述吹掃氣體分配單元還將所述吹掃氣體分配到所述處理室的內(nèi)周表面與所述基板支撐部的外周表面之間的氣體排出區(qū)域，以將所述氣體排出區(qū)域在空間上分離成第一氣體排出區(qū)域和第二氣體排出區(qū)域，

所述第一排放管路以連接到所述第一氣體排出區(qū)域的方式與所述處理室耦接，并且

所述第二排放管路以連接到所述第二氣體排出區(qū)域的方式與所述處理室耦接，

所述吹掃氣體分配單元將吹掃氣體分配到與所述處理室的內(nèi)徑相對(duì)應(yīng)的吹掃氣體分配區(qū)域，以在空間上分離與所述第一排放管路連接的所述第一氣體排出區(qū)域和與所述第二排放管路連接的所述第二氣體排出區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理設(shè)備，其中，所述捕獲裝置包括用于防止顆粒產(chǎn)生的等離子體捕獲器。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理設(shè)備，其中，所述反應(yīng)氣體是氫氣、氮?dú)狻⒀鯕狻⒍趸薄⑺统粞踔械闹辽僖环N。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理設(shè)備，其中，

所述處理室包括設(shè)置在所述第一氣體排出區(qū)域中的第一排放口和設(shè)置在所述第二氣體排出區(qū)域中的第二排放口，

所述第一排放管路經(jīng)由所述第一排放口連接到所述第一氣體排出區(qū)域，并且

所述第二排放管路經(jīng)由所述第二排放口連接到所述第二氣體排出區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理設(shè)備，其中，所述吹掃氣體分配單元以比所述源氣體和所述反應(yīng)氣體的分配壓力高的分配壓力分配所述吹掃氣體。