[發明專利]切割芯片接合片、半導體芯片的制造方法及半導體裝置的制造方法有效
| 申請號: | 201780015580.3 | 申請日: | 2017-02-24 |
| 公開(公告)號: | CN108713241B | 公開(公告)日: | 2023-04-11 |
| 發明(設計)人: | 鈴木英明;土山彩香;佐藤明德;仲秋夏樹 | 申請(專利權)人: | 琳得科株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/301 | 分類號: | H01L21/301;H01L21/683;C09J7/20 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 王利波 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 切割 芯片 接合 半導體 制造 方法 裝置 | ||
本發明提供一種切割芯片接合片(101),其在基材(11)上具備粘合劑層(12)、且在粘合劑層(12)上具備膜狀粘接劑(13)而成,粘合劑層(12)的厚度為20μm~50μm,粘合劑層(12)的斷裂伸長率為5%~50%。一種半導體芯片(9)的制造方法,該方法通過在該切割芯片接合片(101)的膜狀粘接劑(13)的第1面(13a)上形成設置半導體晶片而成的中間結構體,使用切割刀在所述中間結構體上形成從所述半導體晶片的表面到達粘合劑層(12)但不到達基材(11)的切口(10),由此分割所述半導體晶片。
技術領域
本發明涉及切割芯片接合片、半導體芯片的制造方法及半導體裝置的制造方法。
本申請基于2016年3月10日在日本提出申請的日本特愿2016-046904號主張優先權,并將該內容引用至本文中。
背景技術
切割芯片接合片例如在基材上依次具備粘合劑層及膜狀粘接劑而構成,利用該膜狀粘接劑貼附至半導體晶片上而使用。固定于切割芯片接合片上的半導體晶片通過切割而與粘合劑層及膜狀粘接劑一起被分割,單片化為半導體芯片。其后,例如在粘合劑層為固化性的情況下,預先使粘合劑層固化而降低粘合性,將具備切斷后的膜狀粘接劑的半導體芯片從該固化后的粘合劑層剝離并拾取。所拾取的半導體芯片利用膜狀粘接劑芯片接合于基板的電路面,根據需要在該半導體芯片上進一步層疊1個以上的其它半導體芯片,并進行引線接合后,利用樹脂將整體密封。使用這樣獲得的半導體封裝,最終制造目標半導體裝置。
切割例如通過使用切割刀,一邊使該切割刀旋轉一邊切入半導體晶片而進行。但是,在該切割方法中,由于利用切割刀將半導體晶片與切割芯片接合片的至少一部分切削,所以會產生切削屑。切割雖然一邊利用水洗凈切口部位一邊進行,但無法完全沖洗掉切削屑,因此,若切削屑的量多,則一部分切削屑在切割后會附著于所獲得的半導體芯片、該半導體芯片所具備的已切斷的膜狀粘接劑上而容易殘存。但是,具備切斷后的膜狀粘接劑的半導體芯片若這樣殘存切削屑,則有時無法正常地進行拾取。即,若切割時的切削屑的產生量多,則會導致拾取不良。
另一方面,在使用切割刀進行半導體晶片的切割時,作為能夠抑制切削屑附著于半導體芯片的構件,公開有在基材膜上具備由60℃~100℃下的貯能模量為特定范圍內的粘合劑構成的放射線固化型丙烯酸系粘合劑層而成的半導體晶片固定用粘合帶(參照專利文獻1)。該粘合帶相當于切割片,在粘合帶的粘合劑層上進一步設置膜狀粘接劑(即芯片接合膜),并用于切割。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2007-027215號公報
發明內容
發明所要解決的課題
然而,雖然專利文獻1中公開有在使用切割刀進行切割的情況下通過使用上述文獻所記載的切割片(即半導體晶片固定用粘合帶)而能夠抑制切削屑的產生,但并未公開具備膜狀粘接劑的半導體芯片的拾取適應性。
因此,本發明的目的在于,提供一種切割芯片接合片、以及使用該切割芯片接合片的半導體芯片的制造方法及半導體裝置的制造方法,該切割芯片接合片在使用切割刀進行半導體晶片的切割時,能夠降低切削屑的產生量,能夠抑制具備膜狀粘接劑的半導體芯片的拾取不良的發生。
用于解決課題的技術方案
為了解決上述課題,本發明提供一種切割芯片接合片,其在基材上具備粘合劑層、且在上述粘合劑層上具備膜狀粘接劑而成,上述粘合劑層的厚度為20μm~50μm,上述粘合劑層的斷裂伸長率為5%~50%。
在本發明的切割芯片接合片中,優選上述粘合劑層為非能量線固化性。
在本發明的切割芯片接合片中,優選上述粘合劑層對上述膜狀粘接劑的粘合力為35mN/25mm~300mN/25mm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





