[發明專利]切割芯片接合片、半導體芯片的制造方法及半導體裝置的制造方法有效
| 申請號： | 201780015580.3 | 申請日： | 2017-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN108713241B | 公開（公告）日： | 2023-04-11 |
| 發明（設計）人： | 鈴木英明;土山彩香;佐藤明德;仲秋夏樹 | 申請（專利權）人： | 琳得科株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/301 | 分類號： | H01L21/301;H01L21/683;C09J7/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 切割 芯片 接合 半導體 制造 方法 裝置 | ||
1.一種切割芯片接合片，其在基材上具備粘合劑層、且在所述粘合劑層上具備膜狀粘接劑而成，
所述粘合劑層的厚度為20μm～50μm，
所述粘合劑層的斷裂伸長率為5％～50％，
所述粘合劑層的斷裂伸長率如下求出：將寬度10mm、厚度0.03mm的粘合劑層以固定處間的距離成為10mm的方式在兩處進行固定，將拉伸速度設為1000mm/min，在該固定處間拉伸粘合劑層并測定粘合劑層斷裂時的粘合劑層的伸長率。
2.如權利要求1所述的切割芯片接合片，其中，
所述粘合劑層為非能量線固化性。
3.如權利要求1或2所述的切割芯片接合片，其中，
所述粘合劑層對所述膜狀粘接劑的粘合力為35mN/25mm～300mN/25mm。
4.一種半導體芯片的制造方法，該制造方法使用了權利要求1～3中任一項所述的切割芯片接合片，該制造方法具有下述工序：
形成中間結構體的工序，該中間結構體在所述切割芯片接合片中的所述膜狀粘接劑的與設置有所述粘合劑層的一側相反側的表面設置半導體晶片而成；以及
使用切割刀在所述中間結構體上形成從所述半導體晶片的表面到達所述粘合劑層但不到達所述基材的切口，由此分割所述半導體晶片而形成半導體芯片的工序。
5.一種半導體裝置的制造方法，該制造方法在通過權利要求4所述的半導體芯片的制造方法進行形成所述半導體芯片的工序之后，具有下述工序：
對形成所述切口后的切割芯片接合片，從其基材側施加力，并且將所述半導體芯片與切斷后的所述膜狀粘接劑一起從所述粘合劑層剝離。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
