[發(fā)明專利]基板處理方法及基板處理裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201780014056.4 | 申請(qǐng)日: | 2017-03-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108701606A | 公開(公告)日: | 2018-10-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 柴山宣之;江戶徹;蒲裕充 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社斯庫林集團(tuán) |
| 主分類號(hào): | H01L21/304 | 分類號(hào): | H01L21/304 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氫氟酸溶液 臭氧 供給步驟 主面 清洗 基板 基板保持單元 基板保持 基板處理 臭氧水 基板處理裝置 清洗刷 并行 溶解 | ||
本發(fā)明的基板處理方法,包含:基板保持步驟,使基板保持于基板保持單元;含臭氧氫氟酸溶液供給步驟,對(duì)保持于上述基板保持單元的上述基板的一個(gè)主面,供給在氫氟酸溶液中溶解有臭氧的含臭氧氫氟酸溶液;刷清洗步驟,在上述含臭氧氫氟酸溶液供給步驟之后,使清洗刷接觸上述基板的上述一個(gè)主面,由此對(duì)該一個(gè)主面進(jìn)行清洗;臭氧水供給步驟,在上述含臭氧氫氟酸溶液供給步驟之后且在上述刷清洗步驟開始之前,或與上述刷清洗步驟并行,對(duì)上述基板的上述一個(gè)主面供給臭氧水。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明關(guān)于對(duì)基板的主面進(jìn)行處理的基板處理方法及基板處理裝置。成為處理對(duì)象的基板包括例如半導(dǎo)體晶圓、液晶顯示設(shè)備用基板、等離子顯示器用基板、FED(FieldEmission Display,場發(fā)射顯示器)用基板、光盤用基板、磁盤用基板、磁光盤用基板、光掩膜用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體裝置的制造工序中,在工序之間,不可或缺的是半導(dǎo)體晶圓等的基板的清洗處理。單張清洗基板的單張式基板處理裝置,例如具備:旋轉(zhuǎn)卡盤,將基板大致保持為水平,并使基板旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)卡盤;清洗刷,對(duì)由旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)卡盤所保持并旋轉(zhuǎn)的基板的主面(例如上表面)進(jìn)行刷洗(scrub),例如為海綿狀;以及噴嘴,用于對(duì)由旋轉(zhuǎn)卡盤所保持并旋轉(zhuǎn)的基板供給清洗藥液。
上述清洗處理包括利用藥液的蝕刻作用去除半導(dǎo)體晶圓主面的異物的處理。如下述專利文獻(xiàn)1所記載的,在使用SC1(氨-過氧化氫水混合液)作為清洗藥液對(duì)由硅基板構(gòu)成的基板進(jìn)行處理的情況下,由于SC1所含的過氧化氫成分的氧化作用使基板主面氧化,在該主面形成氧化硅膜。然后,通過SC1所含的氨成分,將基板主面的氧化硅膜與附著于該主面的異物一起去除。此外,通過以清洗刷刷洗基板主面,可有效去除附著于基板主面的異物。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開2006-278957號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題
然而,在使用SC1作為清洗藥液時(shí),由于利用氧化能力較弱的過氧化氫溶液將基板主面氧化,故形成于基板主面的氧化膜的量較少。即,由SC1所進(jìn)行的蝕刻性能(異物去除性能)并不高。此時(shí),即使與SC1的供給并行地進(jìn)行利用清洗刷對(duì)該主面的刷洗,清洗效率仍較低。因此,在作為清洗對(duì)象的基板主面附著了大量異物等的情況下,為了清洗該主面將需要較長時(shí)間,存在產(chǎn)率低的問題。
因此,本案發(fā)明人等研究了使用在氫氟酸中溶解有臭氧的氫氟酸臭氧溶液作為清洗藥液。
然而,在使用含有具疏水化作用的氫氟酸的藥液作為清洗藥液的情況下,存在因該藥液所含的氫氟酸的作用而使基板主面疏水化之虞。如果在基板主面呈疏水性的狀態(tài)下使刷抵接于該主面,則存在被清洗刷所刮取的異物再次附著于基板主面之虞。
因此,本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制或防止經(jīng)由清洗刷洗滌的異物再次附著,且能夠使用氫氟酸臭氧溶液高效地清洗基板主面的基板處理方法及基板處理裝置。
用于解決問題的手段
本發(fā)明提供一種基板處理方法,包含:基板保持步驟,使基板保持于基板保持單元;含臭氧氫氟酸溶液供給步驟,對(duì)保持于上述基板保持單元的上述基板的一個(gè)主面,供給在氫氟酸溶液中溶解有臭氧而成的含臭氧氫氟酸溶液;刷清洗步驟,在上述含臭氧氫氟酸溶液供給步驟后,使清洗刷接觸上述基板的上述一個(gè)主面,由此對(duì)該一個(gè)主面進(jìn)行清洗;以及臭氧水供給步驟,在上述含臭氧氫氟酸溶液供給步驟之后且在上述刷清洗步驟開始之前,或者,與上述刷清洗步驟并行,對(duì)上述基板的上述一個(gè)主面供給臭氧水。
根據(jù)此方法,在含臭氧氫氟酸溶液供給步驟之后且在刷清洗步驟開始之前,或者,與在上述含臭氧氫氟酸溶液供給步驟之后所進(jìn)行的刷清洗步驟并行,對(duì)基板的一個(gè)主面供給臭氧水。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





