[發明專利]基板處理方法及基板處理裝置

在審

• 申請號: 201780014056.4
• 申請日: 2017-03-21
• 公開（公告）號: CN108701606A
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發明（設計）人: 柴山宣之;江戶徹;蒲裕充
• 申請（專利權）人: 株式會社斯庫林集團
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 向勇;崔炳哲

1.一種基板處理方法，包含：

基板保持步驟，使基板保持于基板保持單元；

含臭氧氫氟酸溶液供給步驟，對保持于上述基板保持單元的上述基板的一個主面，供給在氫氟酸溶液中溶解有臭氧而成的含臭氧氫氟酸溶液；

刷清洗步驟，在上述含臭氧氫氟酸溶液供給步驟之后，使清洗刷接觸上述基板的上述一個主面，由此對該一個主面進行清洗；以及

臭氧水供給步驟，在上述含臭氧氫氟酸溶液供給步驟之后且在上述刷清洗步驟開始之前，或者，與上述刷清洗步驟并行，對上述基板的上述一個主面供給臭氧水。

2.如權利要求1所記載的基板處理方法，其中，

上述臭氧水供給步驟包含：在上述含臭氧氫氟酸溶液供給步驟之后且在上述刷清洗步驟開始之前，對上述基板的上述一個主面供給臭氧水。

3.如權利要求1或2所記載的基板處理方法，其中，

上述含臭氧氫氟酸溶液供給步驟包含：朝由上述基板保持單元所保持的上述基板的一個主面的中央部噴出含臭氧氫氟酸溶液的步驟；

上述基板處理方法進一步包含基板旋轉步驟，該基板旋轉步驟與上述含臭氧氫氟酸溶液供給步驟并行，在該基板旋轉步驟中，使上述基板圍繞規定的旋轉軸線旋轉。

4.如權利要求3所記載的基板處理方法，其中，

上述臭氧水供給步驟包含朝上述基板的上述一個主面的中央部噴出臭氧水的中央部臭氧水噴出步驟。

5.如權利要求3所記載的基板處理方法，其中，

上述臭氧水供給步驟包含朝上述基板的上述一個主面的外周部噴出臭氧水的外周部臭氧水噴出步驟。

6.如權利要求1至5中任一項所記載的基板處理方法，其中，

在上述臭氧水供給步驟中，供給至上述基板的上述一個主面的上述臭氧水的臭氧濃度為50ppm以上。

7.如權利要求1至6中任一項所記載的基板處理方法，其中，進一步包含保護流體供給步驟，該保護流體供給步驟與上述含臭氧氫氟酸溶液供給步驟并行，在該保護流體供給步驟中，為了防止或抑制上述含臭氧氫氟酸溶液繞到另一個主面而對上述另一個主面供給保護流體。

8.如權利要求7所記載的基板處理方法，其中，

上述基板包含半導體基板；

上述基板的上述另一個主面為用于形成器件的器件形成面；

上述基板的上述一個主面為不形成上述器件的非器件形成面。

9.如權利要求8所記載的基板處理方法，其中，

上述器件形成面包含金屬層。

10.如權利要求7至9中任一項所記載的基板處理方法，其中，

上述保護流體供給步驟包含對上述另一個主面供給保護氣體的保護氣體供給步驟。

11.如權利要求10所記載的基板處理方法，其中，

在上述含臭氧氫氟酸溶液供給步驟中，上述含臭氧氫氟酸溶液的噴出流量為0.5升/分鐘以上且1.0升/分鐘以下。

12.如權利要求1至11中任一項所記載的基板處理方法，其中，

上述基板保持步驟包含將上述基板保持為水平姿勢的步驟；

上述含臭氧氫氟酸溶液供給步驟包含對上述基板的上表面噴出上述含臭氧氫氟酸溶液的步驟；

上述刷清洗步驟包含對上述基板的上述上表面進行清洗的步驟。

13.如權利要求1至12中任一項所記載的基板處理方法，其中，

上述基板的上述一個主面包含含硅成分的含硅面。

14.如權利要求1至13中任一項所記載的基板處理方法，其中，

上述基板的上述一個主面包含含氮化鈦的含氮化鈦面。

15.一種基板處理裝置，包含：

基板保持單元，用于保持基板；

含臭氧氫氟酸溶液供給單元，用于對保持于上述基板保持單元的基板的一個主面，供給在氫氟酸溶液中溶解有臭氧而成的含臭氧氫氟酸溶液；

臭氧水供給單元，用于對上述基板的上述一個主面供給臭氧水；

清洗刷，用于接觸上述一個主面并對該一個主面進行清洗；以及

清洗刷驅動單元，用于驅動上述清洗刷；

所述基板處理裝置還包含：

控制裝置，控制上述含臭氧氫氟酸溶液供給單元、上述臭氧水供給單元及上述清洗刷驅動單元，并執行：含臭氧氫氟酸溶液供給步驟，對上述基板的一個主面供給上述含臭氧氫氟酸溶液；刷清洗步驟，在上述含臭氧氫氟酸溶液供給步驟之后，使清洗刷接觸上述基板的上述一個主面，由此對該一個主面進行清洗；以及臭氧水供給步驟，在上述含臭氧氫氟酸溶液供給步驟之后且在上述刷清洗步驟開始之前，或者，與上述刷清洗步驟并行，對上述基板的上述一個主面供給臭氧水。