[發明專利]半導體晶圓的洗凈方法

在審

• 申請號: 201780012827.6
• 申請日: 2017-02-22
• 公開（公告）號: CN108701603A
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發明（設計）人: 更級晉;高野智史
• 申請（專利權）人: 信越半導體株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304
• 代理公司: 北京京萬通知識產權代理有限公司 11440
• 代理人: 許天易

本發明涉及一種半導體晶圓的洗凈方法，使用含有SC?2溶液的藥液槽而洗凈半導體晶圓，該洗凈方法使用多個該藥液槽，且在該多個藥液槽所含有的SC?2溶液之中，最后使用的藥液槽所含有的SC?2溶液中的HCl濃度為最低，而洗凈該半導體晶圓。由此提供能于SC?2洗凈半導體晶圓時，不使半導體晶圓表面的金屬雜質等級惡化，能提升微粒等級的半導體晶圓的洗凈方法。

技術領域

本發明涉及半導體晶圓的洗凈方法。

背景技術

作為硅晶圓等的半導體晶圓的洗凈方法，被稱為RCA洗凈的使用SC-1(StandardCleaning 1)溶液及SC-2(Standard Cleaning 2)的洗凈方法自以往被廣泛地使用。SC-1溶液為氨水與過氧化氫的水溶液，具有半導體晶圓表面的微粒去除性能非常優越的特征。SC-2溶液為鹽酸與過氧化氫的水溶液，負責金屬雜質去除的作用。

例如，專利文獻1所記載的方法為：作為使用SC-1溶液及SC-2溶液的半導體晶圓的洗凈方法，于通過SC-2溶液洗凈(SC-2洗凈)時，為了防止于半導體晶圓的表面附著陰離子，而以SC-1溶液進行洗凈(SC-1洗凈)而使陽離子化的金屬殘留于半導體晶圓的表面。

[現有技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2005-64276號公報

發明內容

[發明所欲解決的問題]

由于SC-1溶液為堿性溶液的緣故，于SC-1洗凈時，晶圓表面與各種微粒的表面電荷因皆帶有負電荷的緣故，使微粒的附著由于靜電斥力而被抑制。然而，由于SC-2溶液為酸性溶液的緣故，于SC-2洗凈時，晶圓表面與微粒的表面電荷并不一定成為同電性，而有微粒容易附著的問題。再者，添加于SC-2溶液的HCl的濃度愈濃，SC-2洗凈時間愈長，微粒會變得愈容易附著于晶圓的表面。雖然能通過縮短SC-2洗凈時間，降低SC-2溶液中的HCl濃度而抑制微粒等級的惡化，但是在此情況下，由于通過酸的金屬去除效果會降低的緣故，而導致金屬雜質等級會惡化。

鑒于上述的問題點，本發明的目的在于提供一種半導體晶圓的洗凈方法，能于SC-2洗凈半導體晶圓時，不使半導體晶圓表面的金屬雜質等級惡化，且提升微粒等級。

[解決問題的技術手段]

為了達成上述目的，本發明提供一種半導體晶圓的洗凈方法，使用含有SC-2溶液的藥液槽而洗凈半導體晶圓，該洗凈方法使用多個該藥液槽，且在該多個藥液槽所含有的SC-2溶液之中，最后使用的藥液槽所含有的SC-2溶液中的HCl濃度為最低，而洗凈該半導體晶圓。

通過如此的半導體晶圓的洗凈方法，多個藥液槽所含有的SC-2溶液之中，由于最后使用的藥液槽所含有的SC-2溶液中的HCl濃度為最低的緣故，而使微粒難于附著于SC-2洗凈后的半導體晶圓表面。再者，最后使用的藥液槽之前的槽，其HCl濃度高于最后的槽的緣故，除了能充分地進行金屬雜質的去除以外，通過使用多個藥液槽進行SC-2洗凈，在第一段的藥液槽之中無法脫落完全的金屬雜質能在后段去除。另外，在下文中，含有SC-1溶液的藥液槽亦被稱為SC-1槽，含有SC-2溶液的藥液槽亦被稱為SC-2槽。

再者，第二段以后的藥液槽所含有的SC-2溶液中的HCl濃度低于第一槽為佳。

通過如此的半導體晶圓的洗凈方法，在確實地去除金屬雜質的同時，能更確實地抑制半導體晶圓表面的微粒等級的惡化。

再者，該半導體晶圓為硅晶圓為佳。

本發明的半導體晶圓的洗凈方法，能特別合適地用于洗凈硅晶圓。

〔對照現有技術的功效〕

通過本發明的半導體晶圓的洗凈方法，不使金屬雜質等級惡化而能提升微粒等級。