[發明專利]半導體晶圓的洗凈方法在審
| 申請號： | 201780012827.6 | 申請日： | 2017-02-22 |
| 公開（公告）號： | CN108701603A | 公開（公告）日： | 2018-10-23 |
| 發明（設計）人： | 更級晉;高野智史 | 申請（專利權）人： | 信越半導體株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/304 | 分類號： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京京萬通知識產權代理有限公司 11440 | 代理人： | 許天易 |
| 地址： | 日本東京都千*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體晶圓 洗凈 藥液槽 半導體晶圓表面 方法使用 金屬雜質 惡化 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體晶圓的洗凈方法，使用含有SC-2溶液的藥液槽而洗凈半導體晶圓，其中該洗凈方法是：使用多個該藥液槽，且在該多個藥液槽所含有的SC-2溶液之中，最后使用的藥液槽所含有的SC-2溶液中的HCl濃度為最低，而洗凈該半導體晶圓。
2.如權利要求1所述的半導體晶圓的洗凈方法，其中第二段以后的藥液槽所含有的SC-2溶液中的HCl濃度低于第一槽。
3.如權利要求1或2所述的半導體晶圓的洗凈方法，其中該半導體晶圓為硅晶圓。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
