[發明專利]用于個別地配置共享公共命令存取總線的動態隨機存取存儲器的系統和方法有效
| 申請號: | 201780011119.0 | 申請日: | 2017-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN108604212B | 公開(公告)日: | 2021-08-31 |
| 發明(設計)人: | F·阿奎爾;M·德羅普;V·斯里尼瓦斯;P·克洛維斯 | 申請(專利權)人: | 高通股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F13/16 | 分類號: | G06F13/16 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 張立達;王英 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 個別 配置 共享 公共 命令 存取 總線 動態 隨機存取存儲器 系統 方法 | ||
公開了用于配置個人計算設備(PCD)中的動態隨機存取存儲器(DRAM)的系統和方法。示例性方法包括提供與第一DRAM和第二DRAM通信的共享命令存取(CA)總線。來自片上系統(SoC)的第一命令在第一DRAM和第二DRAM處被接收。響應于所接收的第一命令,第一DRAM的解碼器確定是否屏蔽模式寄存器寫入(MRW)。包含配置信息的第二命令經由共享CA總線在第一DRAM和第二DRAM處被接收。響應于由第一DRAM的解碼器進行的確定,所接收的MRW被第一DRAM忽略或實現。
相關申請的交叉引用
本申請要求享有于2016年2月15日提交的題為“Systems and Methods forIndividually Configuring Dynamic Random Access Memories Sharing A CommonCommand Access Bus”的序列號為62/295,236的美國臨時專利申請的優先權的利益,特此以引用方式將其全部內容并入本文。
背景技術
包括耦合到存儲器的至少一個處理器的計算設備是普遍存在的。計算設備可以包括諸如桌上型計算機、膝上型計算機、便攜式數字助理(PDA)、便攜式游戲控制臺、平板計算機、蜂窩電話、智能電話和可穿戴計算機之類的個人計算設備(PCD)。一種類型的存儲器(即,動態隨機存取存儲器(DRAM))在PCD中已變得越來越流行。DRAM存儲器設備可以根據各種標準來配置和/或操作,所述標準例如雙倍數據速率DDR或低功率DDR(LPDDR)標準之一。
取決于適用的標準和/或DRAM將被置于的用途,DRAM存儲器設備具有指定寬度的IO(輸入/輸出)數據總線,所述寬度例如8比特(x8)、16比特(x16)、32比特(x32)。每個DRAM存儲器設備或晶片通常具有其自己的數據(DQ)總線。然而,在一些配置或一些操作模式中,多個DRAM存儲器或晶片可以共享公共命令地址(CA)總線。
對于DRAM存儲器或晶片的這樣的配置或操作模式,共享或公共CA總線在初始化期間使用模式寄存器寫入(MRW)命令來防止對單獨的DRAM存儲器或晶片的個別配置。相反,由于MRW命令,所有DRAM存儲器或晶片以相同方式被配置,其中,配置信息在共享或公共CA總線上被發送到所有DRAM存儲器或晶片。這可能導致對于不同DRAM存儲器或晶片中的每一者而言不是最佳的配置。
因此,對于用于實現對共享公共CA總線的不同DRAM存儲器或晶片的個別配置的改善的系統和方法存在需求。具體而言,對于用于執行以下操作的改善的系統和方法存在需求:屏蔽在CA總線上發送的MRW命令以便允許在初始化期間在共享CA總線上對每個個別的DRAM存儲器或晶片的個別配置。
發明內容
公開了用于實現對與片上系統(SoC)通信的DRAM存儲器的個別配置的系統、方法和計算機程序,其中,DRAM存儲器共享命令地址(CA)總線。在一個實施例中,提供了與第一DRAM設備和第二DRAM設備通信的共享命令存取(CA)總線。來自與第一DRAM設備和第二DRAM設備通信的片上系統(SoC)的第一命令在第一DRAM設備處被接收。響應于從SoC接收的第一命令,第一DRAM設備的解碼器確定是否針對第一DRAM設備屏蔽模式寄存器寫入(MRW)。
來自SoC的包含配置信息的第二命令經由共享CA總線在第一DRAM設備和第二DRAM設備處被接收。第二命令包括MRW。如果由解碼器進行的確定是屏蔽所接收的MRW,則響應于確定,第二命令在第一DRAM設備處被忽略。如果由解碼器進行的確定是不屏蔽所接收的MRW,則第一DRAM設備執行包含配置信息的第二命令。
另一實施例是用于計算設備(PCD)的計算機系統,所述系統包括片上系統(SoC)。系統還包括經由第一特有的數據(DQ)總線且在共享命令存取(CA)總線上與SoC通信的第一DRAM設備,其中,第一DRAM設備包括第一解碼器。系統還包括在第二特有的DQ總線上且在共享CA總線上與SoC通信的第二DRAM設備。
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