[發明專利]切削工具及其制造方法

有效

• 申請號: 201780010894.4
• 申請日: 2017-12-14
• 公開（公告）號: CN109153082B
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發明（設計）人: 岡村克己;久木野曉;瀨戶山誠
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社;住友電工硬質合金株式會社
• 主分類號: B23B27/14
• 分類號: B23B27/14;B23B27/20;B23B51/00;B23C5/16;C04B35/5831
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張蘇娜;張珂珂

1.一種切削工具，包括：

基材；和

與所述基材接觸并覆蓋所述基材的覆膜，

所述基材是立方氮化硼燒結體，

所述覆膜是陶瓷，

所述覆膜中的氧的量為0.040質量％以下。

2.根據權利要求1所述的切削工具，其中所述覆膜中的氧的量為0.010質量％以下。

3.根據權利要求1或2所述的切削工具，其中

所述立方氮化硼燒結體由30體積％以上90體積％以下的立方氮化硼和余量的結合劑組成，

所述結合劑由選自如下化合物及其固溶體中的至少一者、Al和Al化合物中的至少一者以及不可避免的雜質組成，所述化合物由選自元素周期表第4族、5族和6族中的元素和Si中的至少一種元素，以及選自N、C、B和O中的至少一者組成，

所述覆膜的厚度為0.05μm以上5μm以下，并且

所述陶瓷包含至少一種這樣的化合物，該化合物由選自元素周期表第4族、5族和6族元素、Al和Si中的至少一種元素，以及選自C和N中的至少一者組成。

4.一種制造切削工具的方法，包括：

第一步驟，將立方氮化硼燒結體基材放置在腔室內，將惰性氣體離子照射到所述基材的表面上，從而清潔所述基材的表面；和

第二步驟，在所述第一步驟之后，使用物理氣相沉積法在放置于所述腔室內的所述基材的表面上形成陶瓷覆膜，

所述第一步驟和所述第二步驟各自是在進行等待直到所述腔室內的氧分壓和水分壓的總分壓達到5×10^-3Pa以下之后進行的，在所述第一步驟和所述第二步驟的各步驟期間，所述腔室內的總分壓保持在5×10^-3Pa以下。

5.根據權利要求4所述的制造切削工具的方法，其中，所述第一步驟和所述第二步驟各自是在進行等待直到所述腔室內的氧分壓和水分壓的總分壓達到6×10^-4Pa以下之后進行的，并且在所述第一步驟和所述第二步驟的各步驟期間，所述腔室內的總分壓保持在6×10^-4Pa以下。

6.根據權利要求5所述的制造切削工具的方法，其中，所述第一步驟和所述第二步驟各自是在進行等待直到所述腔室內的氧分壓達到1×10^-15Pa以下之后進行的，并且在所述第一步驟和所述第二步驟的各步驟期間，所述腔室內的氧分壓保持在1×10^-15Pa以下。