[發明專利]減少表面缺陷的方法

有效

• 申請號: 201780010886.X
• 申請日: 2017-08-09
• 公開（公告）號: CN108698923B
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發明（設計）人: J·阿明;金宇輝;K·L·史密斯
• 申請（專利權）人: 康寧股份有限公司
• 主分類號: C03C21/00
• 分類號: C03C21/00;C03C3/093;C03C3/097
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 高宏偉;樂洪詠

本公開提供了一種減少強化基材中含缺陷區域以生產無缺陷基材的方法。所述方法包括使經過強化的含缺陷基材與加熱了的含有至少一種一價鹽的鹽浴接觸；并且從該鹽浴中取出該強化基材。在與鹽浴接觸之前，強化基材是具有至少一個含缺陷區域和一個或更多個無缺陷區域的含缺陷基材。從鹽浴中取出后，至少一個含缺陷區域已被減少或基本上被除去，從而制得無缺陷基材。

相關申請的交叉引用

本申請依據35U.S.C.§119要求2016年8月10日提交的序列號為62/373025的美國臨時申請的優先權，本申請以其內容為基礎，并通過參考將其全文納入本文。

技術領域

本公開總體上涉及減少表面缺陷的方法。更具體而言，本公開涉及減少離子交換基材或以其它方式強化的基材中的表面缺陷的方法。

背景

鋼化或強化玻璃因具有物理和化學耐久性而常被用于消費類電子裝置中，例如智能電話和平板電腦。然而，強化處理可使玻璃處于很大的應力之下，這可能會使表面不良情況或其它缺陷蔓延。表面缺陷可能會改變玻璃的外觀和強度。如果玻璃制品因表面缺陷而無法滿足電子裝置中所要求的美觀或功能性要求，該玻璃可能無法使用，并且可能不得不將其作為廢品丟棄。因此，需要減少或除去基材中的表面缺陷。

發明簡述

本文所述的實施方式提供通過使含缺陷基材與加熱了的包含至少一種一價鹽的鹽浴接觸來減少離子交換基材或以其它方式強化的基材中的表面缺陷的方法，從而解決了上述需求。

在一些實施方式中，提供了一種除去強化基材中的含缺陷區域的方法，所述方法將包含至少一種一價鹽的鹽浴加熱至高于或等于95℃的溫度，使強化基材與加熱了的鹽浴接觸，并且從加熱了的鹽浴中取出強化基材。強化基材在與加熱了的鹽接觸之前具有至少一個含缺陷區域和一個或更多個無缺陷區域，其中，無缺陷區域具有金屬一價陽離子平均濃度，且含缺陷區域的金屬一價陽離子平均濃度與無缺陷區域的金屬一價陽離子平均濃度相差至少10摩爾％。從加熱了的鹽浴中取出基材之后，含缺陷區域的金屬一價陽離子平均濃度與無缺陷區域的金屬一價陽離子平均濃度相差小于10摩爾％，含缺陷區域被有效除去。如本文所用，術語“相差”是指至少一個含缺陷區域與一個或更多個無缺陷區域的濃度差的絕對值。

在一些實施方式中，提供了一種生產無缺陷離子交換基材的方法，所述方法將包含至少一種一價鹽的鹽浴加熱至高于或等于95℃且低于或等于430℃的溫度，使離子交換基材與加熱了的鹽浴接觸，并且從加熱了的鹽浴中取出離子交換基材。離子交換基材在與加熱了的鹽浴接觸之前是算數平均粗糙度(Ra)大于或等于約0.002μm的含缺陷離子交換基材，所述Ra在尺寸為0.18mm×0.13mm的區域中測得。從加熱了的鹽浴中取出后，離子交換基材是Ra小于0.002μm的無缺陷離子交換基材。

附圖的簡要說明

圖1A示意性地圖示了根據本文所公開和描述的實施方式的一種含缺陷離子交換基材；

圖1B示意性地圖示了根據本文所公開和描述的實施方式的一種無缺陷離子交換基材；

圖2A示意性地圖示了根據本文所公開和描述的實施方式的一種表面具有鹽晶體的離子交換基材；

圖2B示意性地圖示了根據本文所公開和描述的實施方式在鹽晶體與離子交換基材之間發生的離子交換反應；

圖2C示意性地圖示了根據本文所公開和描述的實施方式除去鹽晶體以使離子交換基材中的表面缺陷顯露；

圖3是根據本文所公開和描述的實施方式的一種含缺陷離子交換基材的表面輪廓圖，其使用Zygo 3D成像和表面計量法測得；

圖4是根據本文所公開和描述的實施方式的一種無缺陷離子交換基材的表面輪廓圖，其使用Zygo 3D成像和表面計量法測得；