[發明專利]減少表面缺陷的方法

有效

• 申請號: 201780010886.X
• 申請日: 2017-08-09
• 公開（公告）號: CN108698923B
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發明（設計）人: J·阿明;金宇輝;K·L·史密斯
• 申請（專利權）人: 康寧股份有限公司
• 主分類號: C03C21/00
• 分類號: C03C21/00;C03C3/093;C03C3/097
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 高宏偉;樂洪詠

1.一種除去強化基材中的含缺陷區域的方法，所述方法包括：

將包含至少一種一價鹽的鹽浴加熱至高于或等于95℃的溫度；

使強化基材的至少一部分與所述鹽浴接觸，其中，在所述強化基材與所述鹽浴接觸之前，所述強化基材具有一個或更多個無缺陷區域和至少一個含缺陷區域，其中，所述無缺陷區域具有總金屬一價陽離子平均濃度，所述含缺陷區域具有與所述一個或更多個無缺陷區域的所述平均濃度相差大于或等于10摩爾％的總金屬一價陽離子平均濃度，其中，所述平均濃度是指給定區域中所存在的每一種單獨類型的金屬一價陽離子相比于該給定區域中所有單獨金屬一價陽離子總和的平均濃度；

從所述鹽浴中取出所述強化基材的所述至少一部分，且取出后，所述至少一個含缺陷區域具有與所述一個或更多個無缺陷區域的所述總金屬一價陽離子平均濃度相差小于10摩爾％的總金屬一價陽離子平均濃度，

其中，所述強化基材在與所述鹽浴接觸之前具有大于或等于0.002μm的算數平均粗糙度(Ra)，且從所述鹽浴中取出后具有小于0.002μm的Ra，所述Ra在尺寸為0.18mm×0.13mm的區域中測得。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述強化基材與所述鹽浴接觸之前，所述至少一個含缺陷區域的所述平均濃度包含大于或等于60摩爾％的第一金屬一價陽離子；從所述鹽浴中取出所述強化基材的所述至少一部分之后，所述至少一個含缺陷區域的所述平均濃度包含小于60摩爾％的所述第一金屬一價陽離子。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一金屬一價陽離子包含堿金屬。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述強化基材與所述鹽浴接觸之前，所述至少一個含缺陷區域具有與所述一個或更多個無缺陷區域的所述金屬一價陽離子平均濃度相差大于或等于20％的第一金屬一價陽離子濃度。

5.如述權利要求1所述的方法，其特征在于，從所述鹽浴中取出所述強化基材的所述至少一部分之后，所述至少一個含缺陷區域具有與所述一個或更多個無缺陷區域的總金屬一價陽離子的所述金屬一價陽離子平均濃度相差小于5％的第二金屬一價陽離子濃度。

6.一種生產無缺陷離子交換基材的方法，所述方法包括：

將包含至少一種一價鹽的鹽浴加熱至高于或等于95℃且小于或等于430℃的溫度；

使含缺陷離子交換基材的至少一部分與所述鹽浴接觸，其中，所述含缺陷離子交換基材具有大于或等于0.002μm的算術平均粗糙度(Ra)，所述Ra在尺寸為0.18mm×0.13mm的區域中測得；以及

從所述鹽浴中取出所述離子交換基材的所述至少一部分，以生產Ra小于0.002μm的無缺陷離子交換基材。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述含缺陷離子交換基材包含至少一處高度或深度大于或等于至少1.2nm且寬度或長度大于或等于5μm的缺陷。

8.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述無缺陷離子交換基材不包含高度或深度大于或等于至少8nm且寬度或長度大于或等于0.01mm的缺陷。

9.如權利要求1～8中任一項所述的方法，其特征在于，所述鹽浴不包含飽和鹽。

10.如權利要求1～8中任一項所述的方法，其特征在于，所述鹽浴不包含磷酸鹽或鈣。

11.如權利要求1～8中任一項所述的方法，其特征在于，所述含缺陷離子交換基材的所述至少一部分與所述鹽接觸10分鐘至40小時。

12.如權利要求1～8中任一項所述的方法，其特征在于，所述鹽浴是熔融鹽浴，并且在高于或等于360℃且低于或等于430℃的溫度下加熱所述鹽浴。