[發(fā)明專利]硅通孔芯片的二次封裝方法及其二次封裝體

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780010390.2
• 申請(qǐng)日: 2017-07-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108780772B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-07-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳寶全;龍衛(wèi);柳玉平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市匯頂科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/683
• 分類號(hào): H01L21/683;H01L23/31
• 代理公司: 上海晨皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

一種硅通孔芯片的二次封裝方法及硅通孔芯片的二次封裝體。硅通孔芯片(1)具有相對(duì)的正向表面(11)與反向表面(12)，反向表面(12)上設(shè)置有焊球陣列封裝BGA錫球(2)，硅通孔芯片(1)的二次封裝方法包括：將至少一硅通孔芯片(1)放置在鋪設(shè)有釋放應(yīng)力膜層(3)的底座(41)上；使用軟化的塑封膠(5)包覆硅通孔芯片(1)；待塑封膠(5)固化后去除底座(41)，以獲取硅通孔芯片(1)的二次封裝體；對(duì)二次封裝體的表面進(jìn)行處理，以露出BGA錫球(2)。在二次封裝中無(wú)需使用基板作為載體，在保證硅通孔芯片(1)具有較高機(jī)械結(jié)構(gòu)強(qiáng)度的基礎(chǔ)上，降低了二次封裝體的厚度，有利于電子產(chǎn)品的薄型化和小型化設(shè)計(jì)。

交叉引用

本申請(qǐng)引用于2017年2月13日遞交的名稱為“硅通孔芯片的二次封裝方法及其二次封裝體”的第PCT/CN2017/073354號(hào)國(guó)際專利申請(qǐng)，其通過(guò)引用被全部并入本申請(qǐng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種硅通孔芯片的二次封裝方法及其二次封裝體。

背景技術(shù)

帶有指紋識(shí)別功能的電子產(chǎn)品隨著整機(jī)設(shè)計(jì)的需要，逐步邁向小型化和薄型化方向發(fā)展，因此，對(duì)指紋識(shí)別芯片的厚度也提出了越來(lái)越高的要求，同時(shí)，在滿足芯片封裝尺寸的要求下，還需要封裝體具有良好的機(jī)械結(jié)構(gòu)強(qiáng)度以及較小的低翹曲度。

然而，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在現(xiàn)有的指紋識(shí)別芯片的封裝方案中，至少存在以下技術(shù)問(wèn)題：不論是采用trench挖槽工藝進(jìn)行的wire?bond打線封裝還是TSV(Through?Silicon?Vias)硅通孔封裝，均需要使用基板101作為載體進(jìn)行二次封裝(如圖1所示為硅通孔芯片的剖面示意圖，如圖2所示為采用基板101進(jìn)行二次封裝后的剖面示意圖)，在使用基板作為載體進(jìn)行封裝后，整個(gè)封裝體的厚度一般會(huì)超出0.5mm，單個(gè)封裝體的翹曲度也會(huì)接近50um，這樣的封裝體尺寸是無(wú)法滿足電子產(chǎn)品日趨小型化和薄型化的設(shè)計(jì)需求的。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)實(shí)施例的目的在于提供一種硅通孔芯片的二次封裝方法及其二次封裝體，二次封裝中無(wú)需使用基板作為載體，因此，在保證硅通孔芯片具有較高機(jī)械結(jié)構(gòu)強(qiáng)度的基礎(chǔ)上，降低了二次封裝體的厚度，有利于電子產(chǎn)品的薄型化和小型化設(shè)計(jì)。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)的實(shí)施例提供了一種硅通孔芯片的二次封裝方法，硅通孔芯片具有相對(duì)的正向表面與反向表面，反向表面上設(shè)置有焊球陣列封裝BGA錫球，硅通孔芯片的二次封裝方法包括：將至少一硅通孔芯片放置在鋪設(shè)有釋放應(yīng)力膜層的底座上；其中，硅通孔芯片的正向表面接觸釋放應(yīng)力膜層；使用軟化的塑封膠包覆硅通孔芯片；待塑封膠固化后去除底座，以獲取硅通孔芯片的二次封裝體；對(duì)二次封裝體的表面進(jìn)行處理，以露出BGA錫球；其中，被處理的二次封裝體的表面與硅通孔芯片的反向表面相對(duì)應(yīng)。

本申請(qǐng)的實(shí)施例還提供了一種硅通孔芯片的二次封裝體，包括：硅通孔芯片與塑封膠；硅通孔芯片具有正向表面、反向表面以及多個(gè)側(cè)向表面；硅通孔芯片的反向表面設(shè)置有焊錫球；塑封膠包覆硅通孔芯片的反向表面與多個(gè)側(cè)向表面，焊錫球外露于塑封膠的表面。

本申請(qǐng)實(shí)施例相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)而言，通過(guò)采用釋放應(yīng)力膜層，當(dāng)塑封膠固化后，使得硅通孔芯片的二次封裝體可以與鋪設(shè)有釋放應(yīng)力膜層的底座分離，得到無(wú)基板形式的二次封裝體，在保證硅通孔芯片具有較高機(jī)械結(jié)構(gòu)強(qiáng)度的基礎(chǔ)上，相較于基板封裝形式降低了硅通孔芯片二次封裝體的厚度，有助于電子產(chǎn)品的薄型化和小型化設(shè)計(jì)。

另外，使用軟化的塑封膠包覆硅通孔芯片中，具體包括：將具有空腔的注塑模具按壓在底座上，使得硅通孔芯片位于空腔中；向空腔中注入軟化的塑封膠，使得塑封膠包覆硅通孔芯片。本實(shí)施例提供了使用軟化的塑封膠包覆硅通孔芯片的第一種具體實(shí)現(xiàn)方式，即采用注塑模具注入軟化的塑封膠的方式。