[發(fā)明專利]硅通孔芯片的二次封裝方法及其二次封裝體

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780010390.2
• 申請日: 2017-07-27
• 公開（公告）號: CN108780772B
• 公開（公告）日: 2023-07-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳寶全;龍衛(wèi);柳玉平
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市匯頂科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L23/31
• 代理公司: 上海晨皓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種硅通孔芯片的二次封裝方法，其特征在于，所述硅通孔芯片具有相對的正向表面與反向表面，所述反向表面上設(shè)置有焊球陣列封裝BGA錫球，所述硅通孔芯片的二次封裝方法包括：

將至少一硅通孔芯片放置在鋪設(shè)有釋放應(yīng)力膜層的底座上；其中，所述硅通孔芯片的正向表面接觸所述釋放應(yīng)力膜層；

使用軟化的塑封膠包覆所述硅通孔芯片；

待所述塑封膠固化后去除所述底座，以獲取所述硅通孔芯片的二次封裝體；

對所述二次封裝體的表面進(jìn)行處理，以露出所述BGA錫球；其中，被處理的所述二次封裝體的表面與所述硅通孔芯片的反向表面相對應(yīng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅通孔芯片的二次封裝方法，其特征在于，所述使用軟化的塑封膠包覆所述硅通孔芯片中，具體包括：

將具有空腔的注塑模具按壓在所述底座上，使得所述硅通孔芯片位于所述空腔中；

向所述空腔中注入軟化的所述塑封膠，使得所述塑封膠包覆所述硅通孔芯片。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅通孔芯片的二次封裝方法，其特征在于，所述使用軟化的塑封膠包覆所述硅通孔芯片中，具體包括：

將軟化的所述塑封膠涂布在所述硅通孔芯片上；

利用壓合模具對軟化的所述塑封膠與所述硅通孔芯片進(jìn)行壓合，使得所述塑封膠包覆所述硅通孔芯片。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的硅通孔芯片的二次封裝方法，其特征在于，所述對所述二次封裝體的表面進(jìn)行處理，以露出所述BGA錫球中，具體包括：

對所述二次封裝體的表面進(jìn)行研磨，以露出所述BGA錫球。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅通孔芯片的二次封裝方法，其特征在于，所述BGA錫球的外露面為圓形，所述BGA錫球的外露面與所述硅通孔芯片的反向表面的距離等于所述圓形的半徑。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的硅通孔芯片的二次封裝方法，其特征在于，在所述對所述二次封裝體的表面進(jìn)行處理，以露出所述BGA錫球之后，還包括：

在所述BGA錫球上設(shè)置輔助錫球；其中，所述輔助錫求高于所述表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的硅通孔芯片的二次封裝方法，其特征在于，所述對所述二次封裝體的表面進(jìn)行處理，以露出所述BGA錫球中，具體包括：

對所述二次封裝體中對應(yīng)于所述BGA錫球的塑封膠部分進(jìn)行局部去除，以露出所述BGA錫球；

在所述對所述二次封裝體的表面進(jìn)行處理，以露出所述BGA錫球之后，還包括：

在所述BGA錫球上設(shè)置輔助錫球，且所述輔助錫球高于或齊平于所述表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的硅通孔芯片的二次封裝方法，其特征在于，所述局部去除的方式包括激光鐳射、離子轟擊、化學(xué)腐蝕中的其中之一或任意組合。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的硅通孔芯片的二次封裝方法，其特征在于，所述硅通孔芯片的數(shù)目為多個；在所述對所述二次封裝體的表面進(jìn)行處理，以露出所述BGA錫球之后，還包括：

對所述二次封裝體進(jìn)行切割，以獲取單個所述硅通孔芯片的二次封裝體。

10.一種硅通孔芯片的二次封裝體，其特征在于，通過權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的硅通孔芯片的二次封裝方法得到的；所述硅通孔芯片的二次封裝體包括：硅通孔芯片與塑封膠；

所述硅通孔芯片具有正向表面、反向表面以及多個側(cè)向表面；所述硅通孔芯片的反向表面設(shè)置有焊錫球；

所述塑封膠包覆所述硅通孔芯片的反向表面與多個側(cè)向表面，所述焊錫球外露于所述塑封膠的表面。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的硅通孔芯片的二次封裝體，其特征在于，所述焊錫球包括BGA錫球；

所述BGA錫球外露于所述塑封膠的表面，且所述BGA錫球的外露面與所述塑封膠的表面齊平。