[發明專利]基板處理裝置和基板處理方法有效
| 申請號: | 201780009904.2 | 申請日: | 2017-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN108604547B | 公開(公告)日: | 2022-08-16 |
| 發明(設計)人: | 高木康弘;梅野慎一;永井高志;守田壽;緒方信博;高松祐助;東島治郎 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,具備:
貯存容器,其用于貯存第一處理液;
基板處理部,其通過將第二處理液與從所述貯存容器供給的所述第一處理液的混合液向基板供給來對所述基板進行處理;
回收路徑,其用于使供給到所述基板處理部的混合液返回到所述貯存容器;
廢棄路徑,其用于將所供給的所述混合液廢棄到所述貯存容器以外的場所;
供給路徑,其用于將所述第一處理液供給到所述貯存容器;
切換部,其使所供給的所述混合液的流入目的地在所述回收路徑與所述廢棄路徑之間切換;
切換控制部,其對所述切換部進行控制,使得在從所述基板處理部開始向所述基板供給所述混合液起到第一時間經過為止的期間,使所供給的所述混合液向所述廢棄路徑流入,在所述第一時間經過后且到基于預先決定的回收率決定的第二時間經過為止的期間,使所供給的所述混合液向所述回收路徑流入,在從所述第二時間經過起到所述混合液的供給結束為止的期間,使所供給的所述混合液向所述廢棄路徑流入。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,還具備:
循環路徑,其用于取出所述貯存容器中貯存的所述第一處理液并使其返回到所述貯存容器;
分支路徑,其與所述循環路徑連接,用于將在所述循環路徑中流動的所述第一處理液供給到所述基板處理部;以及
分隔構件,其配置成與所述貯存容器的側壁之間隔開間隙,并將所述貯存容器內上下分隔,
所述循環路徑的用于取出所述貯存容器內的第一處理液的取出口配置于所述分隔構件的下方,所述循環路徑的用于將從所述取出口取出的第一處理液向所述分隔構件噴出的返回口配置于所述分隔構件的上方。
3.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,還具備:
加熱部,其對向所述基板處理部供給的所述第一處理液進行加熱;
濃度信息獲取部,其獲取向所述基板處理部供給的所述第一處理液的濃度信息;以及
溫度控制部,其根據由所述濃度信息獲取部獲取到的濃度信息,來控制所述加熱部對所述第一處理液進行加熱的加熱溫度。
4.根據權利要求3所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述濃度信息獲取部獲取使用了所述混合液的所述基板的處理張數來作為所述濃度信息。
5.根據權利要求3所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述濃度信息獲取部獲取所述貯存容器中貯存的液體的比重來作為所述濃度信息。
6.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述供給路徑向所述貯存容器補充具有如下濃度的第一處理液,該濃度為被回收并貯存于所述貯存容器的所述第一處理液的濃度以上的濃度,
所述回收率是使所述貯存容器中貯存的第一處理液的濃度維持為濃度下限值的回收率,該濃度下限值是作為使用所述混合液的處理所需的所述第一處理液的濃度的下限值而設定的。
7.根據權利要求6所述的基板處理裝置,其特征在于,
還具備補充控制部,該補充控制部經由所述供給路徑向所述貯存容器補充與所述貯存容器中貯存的第一處理液的初始濃度相同濃度且與所述貯存容器內的液體的減少量相同量的所述第一處理液。
8.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述第一處理液是硫酸,
所述第二處理液是雙氧水。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





