[發(fā)明專利]極紫外線光罩護膜結(jié)構(gòu)體及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780008507.3 | 申請日: | 2017-01-09 |
| 公開(公告)號: | CN108604057B | 公開(公告)日: | 2021-07-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 安鎮(zhèn)浩;金廷桓;金正植;禹東坤;張鏞鑄 | 申請(專利權(quán))人: | 漢陽大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團 |
| 主分類號: | G03F1/62 | 分類號: | G03F1/62;G03F1/00;G03F1/22;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 呂琳;宋東穎 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 紫外線 光罩護 膜結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
本發(fā)明可提供極紫外線光罩護膜結(jié)構(gòu)體的制造方法,上述極紫外線光罩護膜結(jié)構(gòu)體的制造方法包括:準(zhǔn)備光罩護膜薄膜的步驟,上述光罩護膜薄膜包括由多個極紫外線(EUV,Extreme Ultraviolet)透射層及散熱層交替層疊而成的中間膜結(jié)構(gòu)體(intermediate layer structure)、上述中間膜結(jié)構(gòu)體的上部面上的上述第一薄膜以及配置于上述中間膜結(jié)構(gòu)體的下部面且具有低于上述第一薄膜的熱輻射率的第二薄膜;以及在上述光罩護膜薄膜的上述散熱層所露出的邊緣側(cè)面(sidewall)上配置從上述光罩護膜薄膜吸收熱量的冷卻結(jié)構(gòu)體的步驟。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及極紫外線(EUV)光罩護膜(pellicle)結(jié)構(gòu)體及其制造方法,更詳細(xì)地,涉及包括由具有優(yōu)秀的散熱、耐化學(xué)性或韌性強度的多個薄膜構(gòu)成的光罩護膜薄膜以及從光罩護膜薄膜吸收熱量及釋放熱量的冷卻結(jié)構(gòu)體的極紫外線光罩護膜結(jié)構(gòu)體及其制造方法。
背景技術(shù)
隨著半導(dǎo)體設(shè)備的電路線寬急速變得微細(xì)化,通過目前使用的193nm波長范圍的光源的液浸ArF光刻設(shè)備形成微細(xì)圖案時具有限制。為了不改善光源及光刻設(shè)備地形成微細(xì)圖案,適用了雙重光刻或四重光刻等的技術(shù),但是,這將在重視大量生產(chǎn)的半導(dǎo)體設(shè)備制造過程中導(dǎo)致如工序次數(shù)增加、工序價格增加、每小時處理的數(shù)量減少等的問題。
為了解決如上所述的問題,正在研發(fā)適用將13.5nm波長的極紫外線用作光源的極紫外線光刻技術(shù)的新一代光刻設(shè)備。在極紫外線光刻技術(shù)中使用的13.5nm波長的光幾乎在所有物質(zhì)被吸收,因此使用如鏡子的反射型分劃板,而不使用以往的透射型分劃板。若在這種分劃板附著有灰塵或異物等不純物,則由于這種不純物,光被吸收或反射,因此產(chǎn)生轉(zhuǎn)印的圖案受損而導(dǎo)致降低半導(dǎo)體裝置或液晶顯示板等的性能或收益率的問題。因此,為了防止不純物附著于分劃板的表面,執(zhí)行在分劃板的表面附著光罩護膜(pellicle)的方法。因此,正在積極研發(fā)與對于極紫外線具有高透射率及薄厚度特性的光罩護膜。
例如,在韓國專利授權(quán)公報KR1552940B1(申請?zhí)枺篕R20130157275A,申請人:三星電子株式會社)中公開了作為極紫外線光刻用光罩護膜薄膜制造具有高極紫外線透射率和強拉伸強度的含有石墨的薄膜的方法。
目前,為了提高半導(dǎo)體制造工序的工序效率,持續(xù)研究將高輸出光源適用于極紫外線光刻設(shè)備的研究。在使用高輸出光源的情況下,光罩護膜薄膜的溫度急速增加,因此,產(chǎn)生光罩護膜薄膜被彎曲的現(xiàn)象(Bowing),從而導(dǎo)致妨礙圖案形狀或光罩護膜薄膜受損的問題。因此,需要研究可以解決光罩護膜薄膜的溫度增加引起的光罩護膜薄膜的熱變形問題的方法。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要實現(xiàn)的一技術(shù)目的在于,提供散熱效率得到提高的極紫外線光罩護膜結(jié)構(gòu)體的制造方法。
本發(fā)明所要實現(xiàn)的再一技術(shù)目的在于,提供與極紫外線有關(guān)的透射率得到提高的極紫外線光罩護膜結(jié)構(gòu)體的制造方法。
本發(fā)明所要實現(xiàn)的另一技術(shù)目的在于,提供工序時間及費用減少的極紫外線光罩護膜結(jié)構(gòu)體的制造方法。
本發(fā)明所要實現(xiàn)的還有一技術(shù)目的在于,提供容易量產(chǎn)極紫外線用罩或分劃板的極紫外線光罩護膜結(jié)構(gòu)體的制造方法。
本發(fā)明所要實現(xiàn)的又一技術(shù)目的在于,提供容易全尺寸(full-size)制造的極紫外線光罩護膜結(jié)構(gòu)體的制造方法。
本發(fā)明所要實現(xiàn)的技術(shù)目的并不限定于上述內(nèi)容。
為了解決如上所述的技術(shù)問題,本發(fā)明提供極紫外線光罩護膜結(jié)構(gòu)體的制造方法。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





