[發明專利]場效應晶體管、其制造方法、顯示元件、顯示設備和系統在審

申請號：	201780008233.8	申請日：	2017-01-18
公開（公告）號：	CN108496243A	公開（公告）日：	2018-09-04
發明（設計）人：	新江定憲;植田尚之;中村有希;安部由希子;松本真二;曾根雄司;早乙女遼一;草柳嶺秀	申請（專利權）人：	株式會社理光
主分類號：	H01L21/336	分類號：	H01L21/336;G02F1/1368;H01L21/28;H01L21/283;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/786;H01L51/50
代理公司：	北京市柳沈律師事務所 11105	代理人：	王珊珊
地址：	日本***	國省代碼：	日本;JP
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摘要：
搜索關鍵詞：	導電膜蝕刻柵極絕緣層場效應晶體管有機堿性溶液電極氧化膜效應晶體管堿土金屬蝕刻溶液系統提供顯示設備顯示元件預定表面鑭系元素相繼層制造場掩模溶解制造
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【說明書】：

提供了制造場效應晶體管的方法，該場效應晶體管包括柵極絕緣層和電極，該電極包括相繼層壓在該柵極絕緣層的預定表面上的第一導電膜和第二導電膜。該方法包括以下步驟：形成包括元素A和元素B的氧化膜作為柵極絕緣層，該元素A是堿土金屬，該元素B是從由Ga、Sc、Y和鑭系元素構成的組中選擇的至少一個元素；在氧化膜上形成在有機堿性溶液中溶解的第一導電膜；在第一導電膜上形成第二導電膜；用具有比對于第一導電膜的蝕刻速率更高的對于第二導電膜的蝕刻速率的蝕刻溶液來蝕刻第二導電膜；以及使用第二導電膜作為掩模，用有機堿性溶液蝕刻第一導電膜。

技術領域

本發明涉及場效應晶體管、其制造方法、顯示元件、顯示設備和系統。

背景技術

由于場效應晶體管(FET)具有低柵極電流和扁平結構，因此與雙極晶體管相比，它們更容易制造和集成。因此，FET是當前電子器件中使用的集成電路的必不可少的元件。

傳統上，硅基絕緣膜已廣泛用作場效應晶體管的柵極絕緣層。然而，近年來，隨著對場效應晶體管中的更高集成度和更低功耗的不斷增長的需求，正在考慮使用所謂的高k絕緣膜形成柵極絕緣層的技術，該高k絕緣膜與硅基絕緣膜相比具有顯著更高的介電常數。例如，已知一種場效應晶體管，其包括使用包含稀土氧化物、稀土硅酸鹽、稀土鋁酸鹽或稀土元素；鋁；和硅的氧化膜的柵極絕緣層(例如，參見專利文獻1)。

另一方面，與在蝕刻構成柵極絕緣的上層的電極的蝕刻處理期間對構成柵極絕緣層的氧化膜的損壞有關的問題尚未解決。也就是說，當蝕刻處理期間發生諸如柵極絕緣層的膜變薄的損壞時，例如，可能產生泄漏電流，從而不利地影響場效應晶體管的電特性。

發明內容

本發明要解決的問題

本發明的一個目的是提供一種制造場效應晶體管的方法，該場效應晶體管包括由氧化膜制成的柵極絕緣層，使得當在柵極絕緣層上圖案化導電膜時能防止對柵極絕緣層的蝕刻損壞。

解決問題的手段

根據本發明的一個實施例，提供一種制造場效應晶體管的方法，該場效應晶體管包括柵極絕緣層和電極，該電極包括順序層壓在柵極絕緣層的預定表面上的第一導電膜和第二導電膜。該方法包括以下步驟：形成氧化膜，該氧化膜包括元素A、元素B和鑭系元素，元素A是堿土金屬，元素B是從由Ga、Sc、Y和鑭系元素構成的組中選擇的至少一個元素；在氧化膜上形成第一導電膜，該第一導電膜在有機堿性溶液中溶解；在第一導電膜上形成第二導電膜；用具有比對于第一導電膜的蝕刻速率更高的對于第二導電膜的蝕刻速率的蝕刻溶液來蝕刻第二導電膜；以及將第二導電膜作為掩模，用有機堿性溶液蝕刻第一導電膜。

本發明的效果

根據本發明的方面，在制造包括由氧化膜制成的柵極絕緣層的場效應晶體管的方法中，當在柵極絕緣層上圖案化導電膜時能防止對柵極絕緣層的蝕刻損壞。

附圖說明

圖1是根據本發明的第一實施例的場效應晶體管的截面圖；

圖2是示出制造根據第一實施例的場效應晶體管的處理步驟的第一示圖；

圖3是示出制造根據第一實施例的場效應晶體管的處理步驟的第二示圖；

圖4是示出制造根據第一實施例的場效應晶體管的處理步驟的第三示圖；

圖5是示出制造根據第一實施例的場效應晶體管的處理步驟的第四示圖；

圖6是示出制造根據第一實施例的場效應晶體管的處理步驟的第五示圖；

圖7是示出制造根據第一實施例的場效應晶體管的處理步驟的第六示圖；

圖8是示出制造根據第一實施例的場效應晶體管的處理步驟的第七示圖；

圖9是根據第一實施例的第一示例修改的場效應晶體管的截面圖；