[發明專利]場效應晶體管、其制造方法、顯示元件、顯示設備和系統

在審

• 申請號: 201780008233.8
• 申請日: 2017-01-18
• 公開（公告）號: CN108496243A
• 公開（公告）日: 2018-09-04
• 發明（設計）人: 新江定憲;植田尚之;中村有希;安部由希子;松本真二;曾根雄司;早乙女遼一;草柳嶺秀
• 申請（專利權）人: 株式會社理光
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;G02F1/1368;H01L21/28;H01L21/283;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/786;H01L51/50
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王珊珊

1.一種制造場效應晶體管的方法，所述場效應晶體管包括柵極絕緣層和電極，所述電極包括相繼層壓在所述柵極絕緣層的預定表面上的第一導電膜和第二導電膜，所述方法包括以下步驟：

形成包括元素A和元素B的氧化膜作為柵極絕緣層，所述元素A是堿土金屬，所述元素B是從由Ga、Sc、Y和鑭系元素構成的組中選擇的至少一個元素；

在所述氧化膜上形成在有機堿性溶液中溶解的第一導電膜；

在所述第一導電膜上形成第二導電膜；

用具有比對于所述第一導電膜的蝕刻速率更高的對于第二導電膜的蝕刻速率的蝕刻溶液來蝕刻所述第二導電膜；以及

使用第二導電膜作為掩模，用有機堿性溶液蝕刻所述第一導電膜。

2.根據權利要求1所述的制造場效應晶體管的方法，所述方法還包括以下步驟：

在所述第二導電膜上形成第三導電膜；以及

用具有比對于所述第二導電膜的蝕刻速率更高的對于所述第三導電膜的蝕刻速率的蝕刻溶液來蝕刻所述第三導電膜；

其中，在蝕刻所述第一導電膜的步驟中，使用所述第二導電膜和所述第三導電膜作為掩模，用有機堿性溶液蝕刻所述第一導電膜。

3.根據權利要求1所述的制造場效應晶體管的方法，所述方法還包括以下步驟：

在所述第一導電膜上形成在有機堿性溶液中溶解的所述第二導電膜；

在所述第二導電膜上形成第三導電膜；

用具有比對于所述第二導電膜的蝕刻速率更高的對于所述第三導電膜的蝕刻速率的蝕刻溶液來蝕刻所述第三導電膜；以及

取代實施蝕刻所述第一導電膜的步驟和蝕刻所述第二導電膜的步驟，使用所述第三導電膜作為掩模，用有機堿性溶液同時蝕刻所述第一導電膜和所述第二導電膜。

4.根據權利要求1所述的制造場效應晶體管的方法，其中，

所述第一導電膜是包括Al的金屬膜；以及

所述第二導電膜是包括Mo、W、Ti、Ta、Cr、Cu和Ni中的至少一種的金屬膜。

5.根據權利要求2所述的制造場效應晶體管的方法，其中，

所述第一導電膜是包括Al的金屬膜；

所述第二導電膜是包括Mo、W、Ta、Cr、Au、Cu和Ni中的至少一種的金屬膜；以及

所述第三導電膜是包括Ti的金屬膜。

6.根據權利要求3所述的制造場效應晶體管的方法，其中，

所述第一導電膜是包括Al的金屬膜；

所述第二導電膜是包括Cu的金屬膜；以及

所述第三導電膜是包括Ti的金屬膜。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的制造場效應晶體管的方法，其中，所述氧化膜包括順電非晶氧化物或由所述順電非晶氧化物構成。

8.根據權利要求1-7中任一項所述的制造場效應晶體管的方法，其中，所述氧化膜還包括元素C，所述元素C是從由Al、Ti、Zr、Hf、Nb、和Ta構成的組中選擇的至少一種元素。

9.一種場效應晶體管，包括：

基材料；

形成在基材料上的源電極、漏電極和柵電極；

有源層，當預定電壓施加到柵電極時，該有源層在源電極和漏電極之間形成溝道；以及

布置在柵電極和有源層之間的柵極絕緣層；

其中，所述柵極絕緣層由包括元素A和元素B的氧化膜制成，所述元素A是堿土金屬，所述元素B是從由Ga、Sc、Y和鑭系元素構成的組中選擇的至少一個元素；以及

其中，源電極、漏電極和形成在柵極絕緣層的預定表面上的柵電極中的至少一個電極是層壓膜，該層壓膜包括在有機堿性溶液中溶解的第一導電膜和形成在第一導電膜上的第二導電膜，用于蝕刻第二導電膜的預定蝕刻溶液的蝕刻速率比用于蝕刻第一導電膜的該預定蝕刻溶液的蝕刻速率更高。