[發明專利]微小開關及使用其的電子設備有效
| 申請號: | 201780007514.1 | 申請日: | 2017-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN108496251B | 公開(公告)日: | 2022-08-12 |
| 發明(設計)人: | 上代洋;永井徹;木下健太郎 | 申請(專利權)人: | 日本制鐵株式會社;國立大學法人鳥取大學 |
| 主分類號: | H01L27/105 | 分類號: | H01L27/105;H01L27/28;H01L45/00;H01L49/00;H01L51/05 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 張楠 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微小 開關 使用 電子設備 | ||
1.一種微小開關,其特征在于,其由第1電極、第2電極及多孔性高分子金屬絡合物導電體構成,
所述多孔性高分子金屬絡合物導電體以下述式(1)表示,
構成所述第1電極的金屬與構成所述第2電極的金屬的氧化還原電位不同,
[MLx]n(D)y (1)
其中,M表示選自元素周期表的2~13族中的金屬離子,L表示在其結構內含有2個以上的可與所述M配位的官能團且可與2個所述M交聯的配體,D表示不包含金屬元素的導電性助劑;x為0.5~4,y相對于1個x為0.0001~20;n表示由[MLx]構成的結構單元的重復數,n為5以上。
2.根據權利要求1所述的微小開關,其中,所述D為分子內具有碳-碳不飽和鍵、并且含有硫或氮原子的化合物。
3.根據權利要求1所述的微小開關,其中,所述D為分子內具有碳-碳不飽和鍵、并且在所述碳-碳不飽和鍵上鍵合有吸電子基團或給電子基團的化合物、或者共軛體系發達的芳香族化合物。
4.根據權利要求2或3所述的微小開關,其中,所述D為選自由四氰乙烯、四氰醌二甲烷、苯醌、或它們的衍生物構成的組中的受主型的化合物。
5.根據權利要求2或3所述的微小開關,其中,所述D為選自四硫富瓦烯或它們的衍生物中的施主型的化合物。
6.根據權利要求1~3中任一項所述的微小開關,其中,在所述多孔性高分子金屬絡合物導電體中含有兩種以上的所述D。
7.根據權利要求6所述的微小開關,其中,所述兩種以上的D中的至少一種為由在分子內具有電荷的有機物形成的有機性導電性助劑。
8.根據權利要求7所述的微小開關,其中,所述有機性導電性助劑選自由季銨鹽、鏻鹽類、胺-堿金屬離子復合物、咪唑鎓鹽類、吡啶鎓鹽類及锍鹽類構成的組。
9.根據權利要求1~3中任一項所述的微小開關,其中,所述D的含量相對于所述多孔性高分子金屬絡合物導電體為0.001~30質量%。
10.根據權利要求1~3中任一項所述的微小開關,其中,所述M為選自鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、稀土類、鋯中的2價、3價、或4價的金屬離子。
11.根據權利要求1~3中任一項所述的微小開關,其中,所述L為分子內含有2個以上的羧基的芳香族化合物。
12.根據權利要求1~3中任一項所述的微小開關,其中,所述L為分子內含有2個以上的羧基的非芳香族化合物。
13.根據權利要求11所述的微小開關,其中,所述L為分子內含有2個以上的配位性氮原子的芳香族化合物。
14.根據權利要求12所述的微小開關,其中,所述L為分子內含有2個以上的配位性氮原子的非芳香族化合物。
15.根據權利要求1~3中任一項所述的微小開關,其中,所述M選自由鎂、鋁、鈣、鈧、錳、鐵(II)、鐵(III)、鈷、鎳、銅、鋅、鋯釕、銠、鈀、銀、鎘、銦及錸構成的組,
所述L選自由取代/未取代的對苯二甲酸、取代/未取代的間苯二甲酸、取代/未取代的2,6-萘二甲酸、取代/未取代的2,7-萘二甲酸、取代/未取代的4,4’-聯苯二甲酸、取代/未取代的均苯三酸、取代/未取代的4,4’-聯吡啶、取代/未取代的1,4-(4-吡啶基)苯及取代/未取代的咪唑構成的組。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





