[發(fā)明專利]微小開關及使用其的電子設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780007514.1 | 申請日: | 2017-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN108496251B | 公開(公告)日: | 2022-08-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | 上代洋;永井徹;木下健太郎 | 申請(專利權)人: | 日本制鐵株式會社;國立大學法人鳥取大學 |
| 主分類號: | H01L27/105 | 分類號: | H01L27/105;H01L27/28;H01L45/00;H01L49/00;H01L51/05 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 張楠 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微小 開關 使用 電子設備 | ||
一種微小開關,其特征在于,其由第1電極、第2電極及多孔性高分子金屬絡合物導電體構成,上述多孔性高分子金屬絡合物導電體以下述式(1)表示,構成上述第1電極的金屬與構成上述第2電極的金屬的氧化還原電位不同。[MLx]n(D)y(1),其中,M表示選自元素周期表的2~13族中的金屬離子,L表示在其結構內含有2個以上的可與上述M配位的官能團且可與2個上述M交聯(lián)的配體,D表示不包含金屬元素的導電性助劑。x為0.5~4,y相對于1個x為0.0001~20。n表示由[MLx]構成的結構單元的重復數(shù),n為5以上。
技術領域
本發(fā)明涉及由含有導電性助劑的多孔性高分子金屬絡合物(PCP: PorousCoordination Polymer)形成的多孔性高分子金屬絡合物導電體及利 用了其的微小開關以及利用了其的電子設備。
本申請基于2016年1月22日在日本申請的特愿2016-010864號及特 愿2016-010865號而主張優(yōu)先權,并將其內容援引于此。
背景技術
本申請說明書中使用的“開關”是指具有通過某些方法能夠變化的多個 穩(wěn)定狀態(tài)、且通過使各個穩(wěn)定狀態(tài)與例如“0”、“1”對應來保持數(shù)據(jù)的機構。 作為微小開關的一種有存儲器,如果是作為存儲器的一種的DRAM (Dynamic Random Access Memory,動態(tài)隨機存取存儲器),則通過使電容 器被充電的狀態(tài)和空的狀態(tài)分別與“1”、“0”對應來實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲,如果是 快閃(Flash)存儲器,則通過使在浮動門中注入有電荷的狀態(tài)和沒有注入 電荷的狀態(tài)分別與“1”、“0”對應來實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲。這些微小開關類作為個 人計算機和移動設備等的記錄材料被廣泛利用,微小開關類的特性承擔著 決定利用它們的設備的性能那樣重要的作用。
微小開關的最大問題是就現(xiàn)有材料而言特性改善接近極限。對于微小 開關的特性改善,廣泛采用了微細化的方法。這是由于:越進行微細化, 則耗電的降低、響應速度的提高、由高度集成化帶來的高功能化、小型輕 量化越成為可能。作為微細化方法,一般利用了光刻技術,但本技術也存 在光的波長這樣的固有的臨界值,據(jù)說目前使用的微小開關的進一步小型 化是困難的。此外,既然采用通過電荷是否進入了浮動門來進行判斷的方 式,就通過數(shù)個電子來進行判斷的以往方式而言,因存在漏電路徑(leak path)而數(shù)據(jù)消失等問題是不可避免的,在這一意義上也給高性能化帶來界 限。作為高性能化的方法,研究了將元件層疊的方法,當然層疊化需要高 端的技術,會產生成品率的降低、制造成本的問題等。
為了即使將形狀微細化而電流也不會流出,還有利用氮化膜來防止電 荷的泄漏的方法,但是既然使用起因于上述的光波長的界限的光刻技術, 則微細化存在界限。
也有不是利用現(xiàn)有材料的微細化、而利用新型的機理來開發(fā)更高性能 的開關的動向。例如作為下一代的快閃存儲器,可列舉出MRAM (Magnetoresistive Random AccessMemory,磁阻式隨機存取存儲器)、 PRAM(Phase Change Random Access Memory,相變隨機存取存儲器)、 ReRAM(Resistance Random Access Memory,電阻式隨機存取存儲器)。MRAM存在結構復雜、成品率低、制造成本高等問題。PRAM利用緩冷、 急冷來進行開關,在原理上不能說速度極限高。ReRAM雖然在目前沒有被 實用化,但是基于形成金屬納米線的機理的存儲器,若使大電流流過、即 作為開關使用,則能夠期待穩(wěn)定的動作,由于在結構上簡易,所以還可期 待制造成本的降低、容易層疊化等。
多孔性高分子金屬絡合物(PCP:Porous Coordination Polymer)是由金 屬離子和有機配體得到的具有納米水平的細孔的結晶性固體,由于各種金 屬離子、有機配體的組合及骨架結構的多樣性,考慮了氣體吸附、分離材 料、催化劑、傳感器、醫(yī)藥品等各種應用。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





