[發明專利]用于側向硬模凹槽減小的混合碳硬模

有效

• 申請號: 201780006952.6
• 申請日: 2017-01-04
• 公開（公告）號: CN108475640B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: 托馬斯·瓊萬·權;程睿;阿布海杰特·巴蘇·馬利克;平爾萱;安在洙
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H10B43/27;H01L21/033;H01L21/02;H01L21/308;H01L21/311
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種基板處理方法，包含以下步驟：

沉積第一硬模于設置于基板上的一個或多個材料層上；

沉積第二硬模于所述第一硬模上；

圖案化所述第二硬模；

執行第一蝕刻工藝以蝕刻所述第一硬模和所述第二硬模；

保形地沉積第三硬模于所述一個或多個材料層、所述第一硬模和所述第二硬模上，其中所述第三硬模包含摻雜硼的碳質材料，所述摻雜硼的碳質材料由大于25wt％的硼和50wt％的碳組成；和

執行第二蝕刻工藝以蝕刻所述一個或多個材料層以形成通道于所述一個或多個材料層中。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述一個或多個材料層包含氮化硅材料和氧化硅材料。

3.如權利要求2所述的方法，其中所述氮化硅材料和所述氧化硅材料沉積于交替層中以形成層堆疊結構。

4.如權利要求3所述的方法，其中所述層堆疊結構具有多于48個材料層。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述第一蝕刻工藝是使用碳氟化合物先驅物的等離子體蝕刻工藝。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述第一硬模是含碳材料。

7.如權利要求6所述的方法，其中沉積所述第一硬模至1μm與2μm之間的厚度。

8.如權利要求1所述的方法，其中所述第二硬模是介電材料。

9.如權利要求8所述的方法，其中所述介電材料是含硅材料。

10.如權利要求9所述的方法，其中所述含硅材料是二氧化硅材料、氮化硅材料、氮氧化硅材料或上述材料的組合。

11.如權利要求8所述的方法，其中沉積所述第二硬模至50μm與200μm之間的厚度。

12.如權利要求1所述的方法，其中保形地沉積所述第三硬模至5nm與15nm之間的厚度。

13.如權利要求1所述的方法，其中所述摻雜硼的碳質材料是包括氮的碳氮化硼材料。

14.如權利要求13所述的方法，其中自硼、碳和氮形成所述碳氮化硼材料的至少80原子百分比。

15.如權利要求14所述的方法，其中通過熱化學氣相沉積工藝沉積所述碳氮化硼材料，所述熱化學氣相沉積工藝使用二甲胺基硼烷作為先驅物。

16.一種基板處理方法，包含以下步驟：

沉積第一硬模于設置在基板上的一個或多個含氧化物和氮化物的材料層上；

沉積第二硬模于所述第一硬模上；

執行第一蝕刻工藝以蝕刻所述第一硬模和所述第二硬模；

保形地沉積碳氮化硼硬模于所述一個或多個含氧化物和氮化物的材料層、所述第一硬模和所述第二硬模上；和

執行第二蝕刻工藝以蝕刻所述一個或多個含氧化物和氮化物的材料層以形成通道于所述一個或多個含氧化物和氮化物的材料層中，其中所述第二蝕刻工藝是使用從由CH₄、N₂和O₂和富含氟的先驅物組成的群組選出的先驅物的基于等離子體的蝕刻工藝。

17.如權利要求16所述的方法，其中所述第二蝕刻工藝移除所述第二硬模和所述碳氮化硼硬模。