[發(fā)明專利]載置構(gòu)件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201780006720.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-01-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108463878A | 公開(公告)日: | 2018-08-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 增田將太郎;市川智昭;前野洋平 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日東電工株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683;B65G49/07;C01B32/152;C01B32/158;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 載置構(gòu)件 硅晶圓 碳納米管集合體 耐熱性 方式放置 碳納米管 側(cè)表面 低起塵 集合體 載置面 載置物 抓持力 轉(zhuǎn)印 施加 污染 | ||
提供抓持力(gripping force)及耐熱性優(yōu)異、并且低起塵性優(yōu)異、不易污染被載置物的載置構(gòu)件。本發(fā)明的載置構(gòu)件為載置面由碳納米管的集合體構(gòu)成的載置構(gòu)件,在硅晶圓上以碳納米管集合體側(cè)表面接觸該硅晶圓的方式放置該載置構(gòu)件,從該載置構(gòu)件上方施加100g的載荷并放置30秒時(shí),轉(zhuǎn)印至該硅晶圓的直徑0.2μm以上的顆粒的數(shù)量為100個(gè)/cm2以下。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及載置構(gòu)件。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體元件等的制造工序中,在輸送材料、制造中間品、制品等(以下,也稱為被加工物)時(shí),使用移動(dòng)臂、移動(dòng)工作臺(tái)等輸送基材進(jìn)行該被加工物的輸送(例如,參照專利文獻(xiàn)1、2)。進(jìn)行這樣的輸送時(shí),對(duì)載置被加工物的構(gòu)件(載置構(gòu)件)要求被加工物在輸送中不偏移這樣的強(qiáng)的抓持力。另外,隨著制造工序高速化的要求,這樣的要求逐年增高。
但是,以往的載置構(gòu)件由樹脂等彈性材料構(gòu)成,存在該彈性材料容易附著殘留于被加工物、污染被加工物這樣的問題。另外,由樹脂等彈性材料構(gòu)成的載置構(gòu)件存在耐熱性低、在高熱環(huán)境下其抓持力會(huì)降低的問題。
若使用陶瓷等材料作為載置構(gòu)件,則能防止被加工物的污染,并且抓持力的溫度依賴性變低。但是,由這種材料構(gòu)成的載置構(gòu)件存在本質(zhì)上抓持力低、即使在常溫下也不能充分保持被加工物的問題。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開2001-351961號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:日本特開2013-138152號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的課題在于,提供抓持力及耐熱性優(yōu)異、并且低起塵性優(yōu)異、不易污染被載置物的載置構(gòu)件。
本發(fā)明的載置構(gòu)件為載置面由碳納米管的集合體構(gòu)成的載置構(gòu)件,在硅晶圓上以碳納米管集合體側(cè)表面接觸該硅晶圓的方式該載置構(gòu)件,從該載置構(gòu)件上方施加100g的載荷并放置30秒時(shí),轉(zhuǎn)印至該硅晶圓的直徑0.2μm以上的顆粒的數(shù)量為9000個(gè)/cm2以下。
1個(gè)實(shí)施方式中,本發(fā)明的載置構(gòu)件包含基材,上述碳納米管的集合體固定于該基材。
1個(gè)實(shí)施方式中,上述碳納米管的直徑的平均值為1nm~800nm。
1個(gè)實(shí)施方式中,上述碳納米管的包含前端的部分被無機(jī)材料覆蓋。
1個(gè)實(shí)施方式中,本發(fā)明的載置構(gòu)件用于半導(dǎo)體部件的輸送。
根據(jù)本發(fā)明,能夠提供抓持力及耐熱性優(yōu)異、并且低起塵性優(yōu)異、不易污染被載置物的載置構(gòu)件。
附圖說明
圖1為本發(fā)明的1個(gè)實(shí)施方式的載置構(gòu)件的示意截面圖。
圖2為本發(fā)明的另一實(shí)施方式的載置構(gòu)件的示意截面圖。
圖3為本發(fā)明的1個(gè)實(shí)施方式的碳納米管集合體的制造裝置的示意截面圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明的載置構(gòu)件包含碳納米管集合體。碳納米管集合體構(gòu)成載置構(gòu)件的載置面。碳納米管集合體具有良好的粘合性(摩擦性),能夠良好地保持置于載置構(gòu)件上的被載置物。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





