[發明專利]載置構件在審
| 申請號： | 201780006720.0 | 申請日： | 2017-01-10 |
| 公開（公告）號： | CN108463878A | 公開（公告）日： | 2018-08-28 |
| 發明（設計）人： | 增田將太郎;市川智昭;前野洋平 | 申請（專利權）人： | 日東電工株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683;B65G49/07;C01B32/152;C01B32/158;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 載置構件 硅晶圓 碳納米管集合體 耐熱性 方式放置 碳納米管 側表面 低起塵 集合體 載置面 載置物 抓持力 轉印 施加 污染 | ||
【權利要求書】：
1.一種載置構件，其中，載置面由碳納米管的集合體構成，
在硅晶圓上以碳納米管集合體側表面接觸該硅晶圓的方式放置該載置構件，從該載置構件上方施加100g的載荷并放置30秒時，轉印至該硅晶圓的直徑0.2μm以上的顆粒的數量為9000個/cm2以下。
2.根據權利要求1所述的載置構件，其包含基材，
所述碳納米管的集合體固定于該基材。
3.根據權利要求1或2所述的載置構件，其中，碳納米管集合體側表面相對于玻璃表面的靜摩擦系數為2.0以上。
4.根據權利要求1～3中任一項所述的載置構件，其中，所述碳納米管的直徑的平均值為1nm～800nm。
5.根據權利要求1～4中任一項所述的載置構件，其中，所述碳納米管的包含前端的部分被無機材料覆蓋。
6.根據權利要求1～5中任一項所述的載置構件，其用于半導體部件的輸送。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
