[發明專利]半導體裝置的制造方法和半導體裝置

有效

• 申請號: 201780004266.5
• 申請日: 2017-04-25
• 公開（公告）號: CN108292605B
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 西山雄士;宮崎正行;北村祥司
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L21/265;H01L29/872
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 楊敏;金玉蘭

1.一種制造方法，其是具備碳化硅半導體層的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

具備雜質注入步驟，在所述雜質注入步驟中，在將所述碳化硅半導體層的溫度設為150℃以下的狀態下，針對所述碳化硅半導體層處的雜質注入區，將雜質多次注入到不同的深度，

在所述雜質注入步驟中，注入有所述雜質的所述雜質注入區的深度方向上的雜質濃度分布具有多個峰和多個谷，

從所述碳化硅半導體層的注入有所述雜質的注入面觀察時，最深的峰的雜質濃度高于第二深的峰的雜質濃度。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述雜質注入步驟中，在將所述碳化硅半導體層的溫度設為室溫以上的狀態下，針對所述雜質注入區，將雜質多次注入到不同的深度。

3.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于，在所述雜質注入步驟中，在將所述碳化硅半導體層配置于室溫氣氛的狀態下，針對所述雜質注入區，將雜質多次注入到不同的深度。

4.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述雜質注入步驟中，以使所述雜質注入區的雜質濃度成為1.0×10¹⁶/cm³以上且5.0×10¹⁹/cm³以下的方式注入雜質。

5.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，在所述雜質注入步驟中，以使所述雜質注入區的雜質濃度成為1.0×10¹⁸/cm³以下的方式注入雜質。

6.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述多個谷之中第一谷的雜質濃度相對于所述多個峰之中第一峰的雜質濃度的比例為10％以上且60％以下，所述第一峰是從所述碳化硅半導體層的注入有所述雜質的注入面觀察時最深的峰，所述第一谷是從所述注入面觀察時最深的谷。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的制造方法，其特征在于，從所述碳化硅半導體層的注入有所述雜質的注入面觀察時越深，所述雜質濃度分布中的各個峰的深度方向上的間隔越大。

8.根據權利要求1～6中任一項所述的制造方法，其特征在于，所述雜質注入步驟中的注入雜質的總劑量為6.0×10¹⁴/cm²以下。

9.根據權利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述雜質注入步驟中的注入雜質的總劑量為1.55×10¹⁴/cm²以下。

10.根據權利要求1～6中任一項所述的制造方法，其特征在于，從所述碳化硅半導體層的注入有所述雜質的注入面觀察時，所述多個峰之中最深的第一峰的深度為0.2μm以上且1.0μm以下。

11.根據權利要求1～6中任一項所述的制造方法，其特征在于，在所述雜質注入步驟之前，具備掩模形成步驟，在所述掩模形成步驟中，在所述碳化硅半導體層的上方形成與所述雜質注入區對應的形狀的抗蝕劑掩模。

12.根據權利要求1～6中任一項所述的制造方法，其特征在于，以使通過所述雜質注入步驟注入而成的所有的峰和谷處的雜質濃度均成為1.0×10¹⁶/cm³以上且5.0×10¹⁹/cm³以下的方式注入雜質。