[發明專利]半導體加工用片

有效

• 申請號: 201780003864.0
• 申請日: 2017-01-05
• 公開（公告）號: CN108271381B
• 公開（公告）日: 2022-06-07
• 發明（設計）人: 佐藤明德;中村優智;山下茂之
• 申請（專利權）人: 琳得科株式會社
• 主分類號: C09J7/20
• 分類號: C09J7/20;H01L21/304;C09J201/00
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 張晶;謝順星

本發明提供一種半導體加工用片1，其至少具備基材10、半導體貼附層80、及剝離膜30，基材10的第一面101的算術平均粗糙度Ra為0.01～0.8μm，在將基材10的第一面101與剝離膜30的第二面302的界面上的剝離力設為α，并將在半導體貼附層80的第二面802與剝離膜30的第一面301的界面上的剝離力設為β時，α比β的比值(α/β)為0以上且小于1.0，剝離力β為10～1000mN/50mm。該半導體加工用片1在具有優異的光線透射性的同時、不容易發生粘連。

技術領域

本發明涉及一種半導體加工用片。

背景技術

由半導體晶圓制造半導體晶片時，通常使用如切割片、背面研磨片等的半導體加工用片。近年來，這樣的半導體加工用片，被要求對所需波長的光線具有透射性(以下有時稱為“光線透射性”)。

例如近年來，厚度比以往要薄的硅晶圓或玻璃制晶圓的使用在不斷增加。在使用刀片切割這些晶圓時，容易產生如崩邊、晶片破裂等的晶片缺損。因此，在使用這些晶圓時，切割完成后，在將晶片貼附在半導體加工用片上的狀態下，從晶片的與半導體加工用片接觸的面越過半導體加工用片而檢查晶片的形狀。為了良好地進行該檢查，半導體加工用片必須透射用于檢查的光線。

此外，在進行厚度較薄的晶圓的切片時，由于使用刀片進行全切割時有崩邊等的擔憂，因此，有時使用先將晶圓半切割后再進行背面磨削的先切割法；或者使用利用激光在晶圓內部設置改質層后，再進行背面磨削并將晶片切片的隱形切割(stealth dicing)法。

在進行隱形切割時，在通過照射激光在晶圓內部形成改質層后貼附在半導體加工用片上時，由于貼附的壓力而存在晶圓破損的風險。為了避免此風險，預先將晶圓貼附在半導體加工用片上之后，越過半導體加工用片對晶圓照射激光，從而形成改質層。此時，為了良好地照射激光，半導體加工用片必須透射激光。

進一步，以倒裝法封裝晶片時，通常將制品面、批次號碼等激光印字在晶片的背面。為了進行這樣的激光印字，設置有將完成了背面磨削的晶圓搬運至激光印字裝置的工序。近年所使用的經薄化的晶圓，在搬運時產生晶圓破裂的風險較高。為了避免此風險，研究出將經薄化的晶圓以貼附在半導體加工用片上的狀態進行搬運，并越過半導體加工用片照射激光，從而進行印字。為了良好地進行該激光印字，半導體加工用片必須透射激光。

此外，在晶片的背面設置保護膜時，也會對該保護膜進行激光印字。此時，越過半導體加工用片的基材、粘著劑層，對包含保護膜形成層的半導體加工用片的保護膜形成層照射激光，從而進行印字。此時，為了良好地進行激光印字，半導體加工用片的基材、粘著劑層等也必須透射激光。

半導體加工用片通常具備基材、及層疊在該基材的一個面上的粘著劑層。進一步，以在直至使用半導體加工用片為止的期間內保護粘著劑層為目的，會在該粘著劑層上設置剝離膜。例如，專利文獻1及2中記載有一種依次層疊基材、粘著劑層及剝離膜而成的半導體加工用片。此外，通常根據半導體加工用片的用途，有時會在粘著劑層與剝離膜之間設置如接著劑層、保護膜形成層等的其它層。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本實開平8-1220號

專利文獻2：日本實開平2-146144號

發明內容

本發明要解決的技術問題

半導體加工用片的對具有所需波長的光線的優異的光線透射性，能夠通過分別提高基材、粘著劑層的光線透射率來達成。例如，能夠通過提高半導體加工用片的基材側的面、即基材的與粘著劑層為相反側的面的平滑性而達成。