[發明專利]有機發光二極管顯示基板、有機發光二極管顯示設備、以及制造有機發光二極管顯示基板的方法

在審

• 申請號: 201780001104.6
• 申請日: 2017-09-26
• 公開（公告）號: CN109923675A
• 公開（公告）日: 2019-06-21
• 發明（設計）人: 劉鳳娟;宋振
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 姜春咸;陳源

本申請提供了一種具有子像素區域和子像素間區域的有機發光二極管顯示基板。有機發光二極管顯示基板包括基底基板和基底基板上的輔助陰極。輔助陰極包括透明導電子層和位于透明導電子層的遠離基底基板的一側的金屬導電子層。金屬導電子層基本上位于子像素間區域中。

技術領域

本發明涉及顯示技術，更具體地，涉及有機發光二極管顯示基板、有機發光二極管顯示設備和制造有機發光二極管顯示基板的方法。

背景技術

有機發光二極管(OLED)顯示設備是自發光裝置且無需背光。與傳統液晶顯示(LCD)設備相比，OLED顯示設備還提供更鮮艷的色彩和更大的色域。此外，OLED顯示設備可以制作得比典型的LCD更易彎曲、更薄且更輕。OLED顯示設備通常包括陽極、包括發光層的有機層、以及陰極。OLED可以為底發光型OLED或頂發光型OLED。在底發光型OLED中，從陽極側提取光。在底發光型OLED中，陽極通常是透明的，而陰極通常為反射性的。在頂發光型OLED中，從陰極側提取光。在頂發光型OLED中，陰極是光學透明的，而陽極是反射性的。

發明內容

在一方面，本發明提供了一種具有子像素區域和子像素間區域的有機發光二極管顯示基板，包括：基底基板；和輔助陰極,其位于基底基板上；其中，所述輔助陰極包括透明導電子層和位于透明導電子層的遠離基底基板的一側的金屬導電子層；并且金屬導電子層基本上位于子像素間區域中。

可選地，金屬導電子層與透明導電子層接觸。

可選地，有機發光二極管顯示基板還包括：黑矩陣層，其位于基底基板上；其中，輔助陰極位于黑矩陣層的遠離基底基板的一側；并且黑矩陣層在基底基板上的投影基本上覆蓋金屬導電子層在基底基板上的投影。

可選地，透明導電子層位于子像素區域和子像素間區域中。

可選地，有機發光二極管顯示基板還包括：覆蓋層，其位于基底基板上；其中，輔助陰極位于覆蓋層的遠離基底基板的一側。

可選地，金屬導電子層與透明導電子層接觸；并且透明導電子層與覆蓋層接觸。

可選地，透明導電子層包括金屬氧化物。

可選地，有機發光二極管顯示基板為包括彩膜的彩膜基板。

可選地，透明導電子層在基底基板上的投影基本上覆蓋彩膜在基底基板上的投影。

在另一方面，本發明提供了一種有機發光二極管顯示設備，包括：陣列基板，其具有多個有機發光二極管；和上述任一有機發光二極管顯示基板，其面向陣列基板；其中，陣列基板包括用于所述多個有機發光二極管的陰極；并且所述陰極電連接至有機發光二極管顯示基板中的輔助陰極。

在另一方面，本發明提供了一種制造具有子像素區域和子像素間區域的有機發光二極管顯示基板的方法，包括：在基底基板上形成輔助陰極；其中，形成輔助陰極包括：形成透明導電子層并且在位于透明導電子層的遠離基底基板的一側形成金屬導電子層；并且金屬導電子層基本上形成在子像素間區域中。

可選地，形成透明導電子層包括：在室溫沉積工藝中，在基底基板上沉積透明導電材料。

可選地，金屬導電子層形成為與透明導電子層接觸。

可選地，所述方法還包括：在基底基板上形成黑矩陣層；其中，形成輔助陰極包括：在黑矩陣層的遠離基底基板的一側形成輔助陰極；并且金屬導電子層形成為使得黑矩陣層在基底基板上的投影基本上覆蓋金屬導電子層在基底基板上的投影。

可選地，透明導電子層形成在子像素區域和子像素間區域中。

可選地，所述方法還包括：在基底基板上形成覆蓋層；其中，形成輔助陰極包括：在覆蓋層的遠離基底基板的一側形成輔助陰極。