[發明專利]有機發光二極管顯示基板、有機發光二極管顯示設備、以及制造有機發光二極管顯示基板的方法在審
| 申請號: | 201780001104.6 | 申請日: | 2017-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN109923675A | 公開(公告)日: | 2019-06-21 |
| 發明(設計)人: | 劉鳳娟;宋振 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機發光二極管 導電子層 顯示基板 基底基板 輔助陰極 子像素 有機發光二極管顯示設備 金屬 子像素區域 透明 申請 制造 | ||
1.一種具有子像素區域和子像素間區域的有機發光二極管顯示基板,包括:
基底基板;和
輔助陰極,其位于所述基底基板上;
其中,所述輔助陰極包括透明導電子層和位于所述透明導電子層的遠離所述基底基板的一側的金屬導電子層;并且
所述金屬導電子層實質上位于所述子像素間區域中。
2.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示基板,其中,所述金屬導電子層與所述透明導電子層接觸。
3.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示基板,還包括:黑矩陣層,其位于所述基底基板上;
其中,所述輔助陰極位于所述黑矩陣層的遠離所述基底基板的一側;并且
所述黑矩陣層在所述基底基板上的投影實質上覆蓋所述金屬導電子層在所述基底基板上的投影。
4.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示基板,其中,所述透明導電子層位于所述子像素區域和所述子像素間區域中。
5.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示基板,還包括:覆蓋層,其位于所述基底基板上;
其中,所述輔助陰極位于所述覆蓋層的遠離所述基底基板的一側。
6.根據權利要求5所述的有機發光二極管顯示基板,其中,所述金屬導電子層與所述透明導電子層接觸;并且
所述透明導電子層與所述覆蓋層接觸。
7.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示基板,其中,所述透明導電子層包括金屬氧化物。
8.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示基板,其中,所述有機發光二極管顯示基板是彩膜基板,其包括彩膜。
9.根據權利要求8所述的有機發光二極管顯示基板,其中,所述透明導電子層在所述基底基板上的投影實質上覆蓋所述彩膜在所述基底基板上的投影。
10.一種有機發光二極管顯示設備,包括:陣列基板,其具有多個有機發光二極管;和權利要求1至9中任一項所述的有機發光二極管顯示基板,其面向所述陣列基板;
其中,所述陣列基板包括用于所述多個有機發光二極管的陰極;并且
所述陰極電連接至所述有機發光二極管顯示基板中的輔助陰極。
11.一種制造具有子像素區域和子像素間區域的有機發光二極管顯示基板的方法,包括:
在基底基板上形成輔助陰極;
其中,形成所述輔助陰極包括:形成透明導電子層并且在位于所述透明導電子層的遠離所述基底基板的一側形成金屬導電子層;并且
所述金屬導電子層實質上形成在所述子像素間區域中。
12.根據權利要求11所述的方法,其中,形成所述透明導電子層包括:在室溫沉積工藝中,在所述基底基板上沉積透明導電材料。
13.根據權利要求11所述的方法,其中,所述金屬導電子層形成為與所述透明導電子層接觸。
14.根據權利要求11所述的方法,還包括:在所述基底基板上形成黑矩陣層;
其中,形成所述輔助陰極包括:在所述黑矩陣層的遠離所述基底基板的一側形成所述輔助陰極;并且
所述金屬導電子層形成為使得所述黑矩陣層在所述基底基板上的投影實質上覆蓋所述金屬導電子層在所述基底基板上的投影。
15.根據權利要求11所述的方法,其中,所述透明導電子層形成在所述子像素區域和所述子像素間區域中。
16.根據權利要求11所述的方法,還包括:在所述基底基板上形成覆蓋層;
其中,形成所述輔助陰極包括:在所述覆蓋層的遠離所述基底基板的一側形成所述輔助陰極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





