[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780000314.3 | 申請日： | 2017-01-24 |
| 公開（公告）號： | CN107533972B | 公開（公告）日： | 2020-07-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 小笠原淳;伊東浩二 | 申請（專利權(quán)）人： | 新電元工業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/316 | 分類號： | H01L21/316;C03C8/16;H01L21/329;H01L29/868 |
| 代理公司： | 上海德昭知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本國東京都千*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 制造 方法 | ||
半導(dǎo)體裝置的制造方法，包含：半導(dǎo)體晶片準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備在玻璃覆蓋膜形成面上形成有臺面溝槽的半導(dǎo)體晶片；以及玻璃覆蓋膜形成工序，在使無鉛玻璃微粒子懸浮于溶媒的懸浮液中，將第一電極板與第二電極板以在所述懸浮液中浸漬后的狀態(tài)對向設(shè)置，同時，在所述第一電極板與所述第二電極板之間將所述半導(dǎo)體晶片以所述玻璃覆蓋膜形成面朝向所述第一電極板一側(cè)的狀態(tài)，通過電泳沉積法在所述玻璃覆蓋膜形成面上形成玻璃覆蓋膜。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
背景技術(shù)
以往，眾所周知有一種包含在半導(dǎo)體晶片(Wafer)的表面形成玻璃覆蓋膜的玻璃覆蓋膜形成工序的半導(dǎo)體裝置的制造方法(例如，特開昭63-22457號公報(bào)、特開昭60-94729號公報(bào)、特開昭57-143832號公報(bào))。
在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，是通過電泳沉積法(EPD：ElectrophoreticDeposition)，使不含鉛的無鉛玻璃微粒子在半導(dǎo)體晶片的臺面(mesa)溝槽中沉積，然后，對在該溝槽中沉積的無鉛玻璃微粒子進(jìn)行燒制后，使其玻璃化，從而來形成半導(dǎo)體裝置的鈍化(passivation)膜。
在上述以往的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在依靠電泳沉積法的玻璃覆蓋膜形成工序中，使用的是將無鉛玻璃微粒子懸浮于溶媒的懸浮液。而且，添加于該懸浮液中的電解質(zhì)溶液的特性并不一定是固定的。
由于該電解質(zhì)溶液特性的偏差，導(dǎo)致通過電泳沉積法使不含鉛的無鉛玻璃微粒子相對于半導(dǎo)體晶片的臺面溝槽的附著性不穩(wěn)定，從而無法將沉積于臺面溝槽中的無鉛玻璃微粒子沉積物的厚度高精度地控制在規(guī)定的厚度上(無鉛玻璃微粒子沉積物在厚度達(dá)到規(guī)定的厚度前不附著)。
并且，例如由于該無鉛玻璃微粒子沉積物的厚度的偏差，會導(dǎo)致對該沉積物進(jìn)行燒制后玻璃化的鈍化膜的膜厚也會偏差，因此就會導(dǎo)致從半導(dǎo)體晶片上切割分離后的半導(dǎo)體裝置的鈍化膜的絕緣性(反向特性)產(chǎn)生偏差從而降低該半導(dǎo)體裝置的可靠性。
如上述般，在以往的半導(dǎo)體裝置的制造方法中依靠電泳沉積法的玻璃覆蓋膜形成工序中，由于添加于懸浮液中的電解質(zhì)溶液特性的偏差，導(dǎo)致通過電泳沉積法使不含鉛的無鉛玻璃微粒子相對于半導(dǎo)體晶片的臺面溝槽的附著性不穩(wěn)定，從而無法將沉積于臺面溝槽中的無鉛玻璃微粒子沉積物的厚度高精度地控制在規(guī)定的厚度上。
因此，本發(fā)明的目的是：提供一種能夠?qū)⒊练e于臺面溝槽中的無鉛玻璃微粒子沉積物的厚度高精度地控制在規(guī)定的厚度上的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一種形態(tài)所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，包含：
半導(dǎo)體晶片準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備在玻璃覆蓋膜形成面上形成有臺面溝槽的半導(dǎo)體晶片；以及玻璃覆蓋膜形成工序，在使無鉛玻璃微粒子懸浮于溶媒的懸浮液中，將第一電極板與第二電極板以在所述懸浮液中浸漬后的狀態(tài)對向設(shè)置，同時，在所述第一電極板與所述第二電極板之間將所述半導(dǎo)體晶片以所述玻璃覆蓋膜形成面朝向所述第一電極板一側(cè)的狀態(tài)，通過電泳沉積法在所述玻璃覆蓋膜形成面上形成玻璃覆蓋膜，
其特征在于：
其中，在所述玻璃覆蓋膜形成工序中使用的所述懸浮液為：在將含有所述無鉛玻璃微粒子的所述溶媒的介電常數(shù)控制在第一范圍內(nèi)后，在該溶媒中，加入表面活性劑、水、以及作為含有有機(jī)溶劑與硝酸的混合液的電解質(zhì)溶液，從而將其導(dǎo)電系數(shù)控制在第二范圍內(nèi)，
所述溶媒的介電常數(shù)的所述第一范圍為7～11，
所述懸浮液的導(dǎo)電系數(shù)的所述第二范圍為100nS/cm～400nS/cm，
所述電解質(zhì)溶液的導(dǎo)電系數(shù)的所述第三范圍為90μs/cm～130μs/cm。
在所述半導(dǎo)體裝置的制造方法中，其特征在于：
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
