[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201780000314.3
• 申請日: 2017-01-24
• 公開（公告）號: CN107533972B
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發明（設計）人: 小笠原淳;伊東浩二
• 申請（專利權）人: 新電元工業株式會社
• 主分類號: H01L21/316
• 分類號: H01L21/316;C03C8/16;H01L21/329;H01L29/868
• 代理公司: 上海德昭知識產權代理有限公司 31204
• 代理人: 郁旦蓉

1.一種半導體裝置的制造方法，包括：

半導體晶片準備工序，準備在玻璃覆蓋膜形成面上形成有臺面溝槽的半導體晶片；以及玻璃覆蓋膜形成工序，在使無鉛玻璃微粒子懸浮于溶媒的懸浮液中，將第一電極板與第二電極板以在所述懸浮液中浸漬后的狀態對向設置，同時，在所述第一電極板與所述第二電極板之間將所述半導體晶片以所述玻璃覆蓋膜形成面朝向所述第一電極板一側的狀態，通過電泳沉積法在所述玻璃覆蓋膜形成面上形成玻璃覆蓋膜，

其特征在于：

其中，在所述玻璃覆蓋膜形成工序中使用的所述懸浮液為：在將含有所述無鉛玻璃微粒子的所述溶媒的介電常數控制在第一范圍內后，在該溶媒中，加入表面活性劑、水、以及作為含有有機溶劑與硝酸的混合液的電解質溶液，從而將其導電系數控制在第二范圍內，

所述溶媒的介電常數的所述第一范圍為7～11，

所述懸浮液的導電系數的所述第二范圍為100nS/cm～400nS/cm，

在被添加至所述溶媒中以前，所述電解質溶液的導電系數被控制在第三范圍中，

所述電解質溶液的導電系數的所述第三范圍為90μs/cm～130μs/cm。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

其中，通過對所述表面活性劑、所述水、以及所述電解質溶液中的至少任意一個進行調整，從而將所述懸浮液的所述導電系數控制在所述第二范圍內。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

其中，所述有機溶劑為異丙醇或醋酸乙酯。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

其中，通過對所述混合液中所述硝酸的配比進行調整，從而將所述電解質溶液的所述導電系數控制在所述第三范圍內。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

其中，所述溶媒為含有異丙醇與醋酸乙酯的混合溶媒。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

其中，通過對所述溶媒中所述醋酸乙酯的配比進行調整，從而將所述溶媒的介電常數控制在所述第一范圍內。

7.根據權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

其中，所述無鉛玻璃微粒子中含有SiO₂、Al₂O₃、CaO、MgO、ZnO、B₂O₃、以及BaO中的至少任意一種成分。

8.根據權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

其中，所述表面活性劑為非離子表面活性劑。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

其中，所述表面活性劑為聚乙二醇。

10.根據權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

其中，所述半導體晶片準備工序包含：

準備在主面上具備平行pn結的半導體晶片的工序；

通過從所述半導體晶片的一方的表面形成深度超過所述pn結的溝槽，從而在所述溝槽的內面形成所述pn結露出部的工序；以及

在所述溝槽的內面形成基底絕緣膜并使其覆蓋所述pn結露出部的工序。

11.根據權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

其中，所述半導體晶片準備工序包含：

在所述半導體晶片的表面形成pn結露出部的工序；以及

所述半導體晶片的表面形成基底絕緣膜并使其覆蓋所述pn結露出部的工序。