[實用新型]一種低電阻溫度系數(shù)的復(fù)合薄膜電阻有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721904504.1 | 申請日: | 2017-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN207663866U | 公開(公告)日: | 2018-07-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 徐浩然;李鴻高;吳波;宋澤潤;朱先勝 | 申請(專利權(quán))人: | 中國電子科技集團公司第四十三研究所 |
| 主分類號: | H01C7/00 | 分類號: | H01C7/00;H01C7/06;H01C17/075;H01C17/12 |
| 代理公司: | 合肥天明專利事務(wù)所(普通合伙) 34115 | 代理人: | 金凱 |
| 地址: | 230088 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 材料層 正電阻溫度系數(shù)材料 負電阻溫度系數(shù) 薄膜電阻 低電阻溫度系數(shù) 鈍化保護層 金屬電極層 陶瓷基 復(fù)合 電阻溫度系數(shù) 雙層復(fù)合薄膜 本實用新型 低溫度系數(shù) 電阻穩(wěn)定性 非金屬電極 正溫度系數(shù) 玻璃 薄膜工藝 薄膜圖形 上表面 靈活 覆蓋 | ||
本實用新型公開一種低電阻溫度系數(shù)的復(fù)合薄膜電阻,包括玻璃或陶瓷基底、負電阻溫度系數(shù)材料層、正電阻溫度系數(shù)材料層、金屬電極層以及鈍化保護層;所述負電阻溫度系數(shù)材料層設(shè)于玻璃或陶瓷基底與正電阻溫度系數(shù)材料層之間;所述正電阻溫度系數(shù)材料層上表面設(shè)有金屬電極層以及非金屬電極層區(qū)域的鈍化保護層。該復(fù)合薄膜電阻采用負電阻溫度系數(shù)材料層、正電阻溫度系數(shù)材料層雙層復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu),能夠靈活調(diào)節(jié)電阻溫度系數(shù),使其具有低電阻溫度系數(shù);該結(jié)構(gòu)采用薄膜工藝,薄膜圖形精度高,體積更小;具有正溫度系數(shù)的材料層覆蓋具有負電阻溫度系數(shù)的材料層,可以有效提高電阻穩(wěn)定性,兼顧薄膜電阻的高精度與低溫度系數(shù)。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及復(fù)合薄膜電阻的技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種低電阻溫度系數(shù)的復(fù)合薄膜電阻。
背景技術(shù)
薄膜電阻(thin-film resistor,TFR)是一種具有的高阻值跟蹤精度和微小體積的芯片式薄膜電阻(電阻網(wǎng)絡(luò)),通常用類蒸發(fā)的方法將一定電阻率材料蒸鍍于絕緣材料表面制成,具有阻值精高度、電阻溫度系數(shù)小、噪聲小和長期穩(wěn)定性好等優(yōu)點,精度最高可達±0.01%,溫度跟蹤系數(shù)最高可達±0.02%,適用于電子通訊、航天、航空、醫(yī)療設(shè)備器件等領(lǐng)域。
在很多產(chǎn)品,尤其是一些儀器儀表、衡器產(chǎn)品上常常需要具有很好的溫度穩(wěn)定性(阻值隨溫度變化而變化的大小)。對于如何實現(xiàn)薄膜電阻的低電阻溫度系數(shù),一直是行業(yè)內(nèi)的技術(shù)難題。精密薄膜電阻的材料多采用合金材料,不同的成分比例與制備條件會導致其具有不同的電阻溫度系數(shù)。目前常用的精密薄膜電阻材料包括CrSi、NiCr、TaN等,但是單一材料的電阻溫度系數(shù)往往較高,并且其數(shù)值也有正負之分,其阻值穩(wěn)定性較差。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種低電阻溫度系數(shù)的復(fù)合薄膜電阻,通過將兩種合金材料合并使用,利用兩種合金材料相反的電阻溫度系數(shù)屬性,可以有效克服單一電阻材料的缺點,實現(xiàn)低電阻溫度系數(shù),并通過在表面涂覆鈍化保護層,實現(xiàn)其產(chǎn)品對周圍環(huán)境的耐受性,提高長期穩(wěn)定性。
實現(xiàn)本實用新型目的的技術(shù)解決方案為:一種低電阻溫度系數(shù)的復(fù)合薄膜電阻,包括玻璃或陶瓷基底、負電阻溫度系數(shù)材料層、正電阻溫度系數(shù)材料層、金屬電極層以及鈍化保護層;所述負電阻溫度系數(shù)材料層設(shè)于玻璃或陶瓷基底與正電阻溫度系數(shù)材料層之間;所述正電阻溫度系數(shù)材料層上表層設(shè)有金屬電極層以及非金屬電極層區(qū)域的鈍化保護層。
進一步的,所述負電阻溫度系數(shù)材料層為TaN電阻材料層。
進一步的,所述正電阻溫度系數(shù)材料層為NiCr合金電阻材料層。
進一步的,所述NiCr合金電阻為Ni60Cr40合金電阻、Ni70Cr30合金電阻的一種。
進一步的,所述金屬電極層為W90Ti10/Au電極層、Cu/Ni/Au電極層的一種
進一步的,所述玻璃或陶瓷基底為微晶玻璃、石英玻璃、氧化鋁陶瓷、氮化鋁陶瓷、氧化鈹陶瓷的一種。
進一步的,所述鈍化保護層為SiO2保護層。
低電阻溫度系數(shù)的復(fù)合薄膜電阻的制備方法,包括以下步驟:
1)在干凈的玻璃或者陶瓷基底上,依次沉積負電阻溫度系數(shù)材料層、正電阻溫度系數(shù)材料層和金屬電極層,得到復(fù)合薄膜電阻;對復(fù)合薄膜電阻進行熱處理;
2)對步驟1)熱處理后的復(fù)合薄膜電阻的金屬電極層進行刻蝕,得到預(yù)期圖形;再對正電阻溫度系數(shù)材料層進行刻蝕得到預(yù)期線條圖案;調(diào)整負電阻溫度系數(shù)材料層、正電阻溫度系數(shù)材料層的面積,得到溫度系數(shù)≤±10ppm/℃的低溫度系數(shù)薄膜電阻;
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