[實用新型]一種低電阻溫度系數的復合薄膜電阻有效
| 申請號： | 201721904504.1 | 申請日： | 2017-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN207663866U | 公開（公告）日： | 2018-07-27 |
| 發明（設計）人： | 徐浩然;李鴻高;吳波;宋澤潤;朱先勝 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第四十三研究所 |
| 主分類號： | H01C7/00 | 分類號： | H01C7/00;H01C7/06;H01C17/075;H01C17/12 |
| 代理公司： | 合肥天明專利事務所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 金凱 |
| 地址： | 230088 安*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 材料層 正電阻溫度系數材料 負電阻溫度系數 薄膜電阻 低電阻溫度系數 鈍化保護層 金屬電極層 陶瓷基 復合 電阻溫度系數 雙層復合薄膜 本實用新型 低溫度系數 電阻穩定性 非金屬電極 正溫度系數 玻璃 薄膜工藝 薄膜圖形 上表面 靈活 覆蓋 | ||
【權利要求書】：
1.一種低電阻溫度系數的復合薄膜電阻，其特征在于：包括玻璃或陶瓷基底、負電阻溫度系數材料層、正電阻溫度系數材料層、金屬電極層以及鈍化保護層；所述負電阻溫度系數材料層設于玻璃或陶瓷基底與正電阻溫度系數材料層之間；所述正電阻溫度系數材料層上表層設有金屬電極層以及非金屬電極層區域的鈍化保護層。
2.根據權利要求1所述的低電阻溫度系數的復合薄膜電阻，其特征在于：所述負電阻溫度系數材料層為TaN電阻材料層。
3.根據權利要求1所述的低電阻溫度系數的復合薄膜電阻，其特征在于：所述正電阻溫度系數材料層為NiCr合金電阻材料層。
4.根據權利要求3所述的低電阻溫度系數的復合薄膜電阻，其特征在于：所述NiCr合金電阻為Ni60Cr40合金電阻、Ni70Cr30合金電阻的一種。
5.根據權利要求1所述的低電阻溫度系數的復合薄膜電阻，其特征在于：所述金屬電極層為W90Ti10/Au電極層、Cu/Ni/Au電極層的一種。
6.根據權利要求1所述的低電阻溫度系數的復合薄膜電阻，其特征在于：所述玻璃或陶瓷基底為微晶玻璃、石英玻璃、氧化鋁陶瓷、氮化鋁陶瓷、氧化鈹陶瓷的一種。
7.根據權利要求1所述的低電阻溫度系數的復合薄膜電阻，其特征在于：所述鈍化保護層為SiO2保護層。
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