[實用新型]一種薄膜晶體管

有效

• 申請號: 201721903019.2
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN207651491U
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發明（設計）人: 趙金躍;鄧家榆
• 申請（專利權）人: 深圳市朗帥科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L23/60;H01L23/552
• 代理公司: 成都弘毅天承知識產權代理有限公司 51230
• 代理人: 徐金瓊;劉東

本實用新型公開了一種薄膜晶體管，包括基底層、設置于基底層兩側的第一隔離擋板和第二隔離擋板、設置于第一隔離擋板和第二隔離擋板間且嵌于基底層上的有源層、設置于有源層上方的絕緣層、設置于絕緣層上方的半導體層、設置于半導體層上方的鈍化層，所述半導體層內中部設置有柵極，所述半導體層和絕緣層上分別嵌入設置有源極和漏極，所述源極和漏極上分別設置載流子注入口。本方案中，通過基底層兩邊設置的第一隔離擋板和第二隔離擋板將晶體管與外界隔離開來，起到屏蔽保護的作用，同時在漏極和源極上方連接處設置載流子注入口，可以顯著降低動態熱載流子效應造成的器件退化和閾值電壓漂移，提高TFT器件和電路的可靠性。

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，尤其涉及一種薄膜晶體管。

背景技術

薄膜晶體管(TFT)在諸如液晶顯示器、有機發光二級管顯示器、以及主動矩陣有機發光二極管顯示器之類的平面顯示裝置中用于開關元件，例如，在常規的LCD中，TFT具有這樣的結構：柵電極和由半導體材料制成的有源層形成在基板上，柵極絕緣薄膜置于其間，彼此分隔的源電極和漏電極接觸有源層，并對應于柵電極的兩側且與柵電極絕緣。在直流工作狀態下，高電壓會在漏極附近產生高電場，從而引發熱載流子效應，導致器件性能的退化。為了減少熱載流子效應，可以通過減小漏極電場來解決，常常采用的方法是引入Lightly-Doped Drain(LDD)結構，但是LDD機構件增加TFT器件的工藝難度，并會引入較大的寄生電阻，從而影響器件的動態特性。

發明內容

本實用新型的目的在于：提供一種薄膜晶體管，解決薄膜晶體管載流子效應而導致的器件性能退化問題。

本實用新型采用的技術方案如下：

一種薄膜晶體管，包括基底層、設置于基底層兩側的第一隔離擋板和第二隔離擋板、設置于第一隔離擋板和第二隔離擋板間且嵌于基底層上的有源層、設置于有源層上方的絕緣層、設置于絕緣層上方的半導體層、設置于半導體層上方的鈍化層，所述半導體層內中部設置有柵極，所述半導體層和絕緣層上分別嵌入設置有源極和漏極，所述源極和漏極上分別設置載流子注入口。

本方案中，通過基底層兩邊設置的第一隔離擋板和第二隔離擋板將晶體管與外界隔離開來，起到屏蔽保護的作用，同時在漏極和源極上方連接處設置載流子注入口，可以顯著降低動態熱載流子效應造成的器件退化和閾值電壓漂移，提高TFT器件和電路的可靠性。

進一步的，所述基底層包括基板、設置于基板上的SiO₂層，以及設置于SiO₂層上的摻鋁氧化鋅層。

摻鋁氧化鋅層是一種電阻率低、導電性能優良及透光性好的透明導電層，能夠降低基板表面的電阻，從而使產生的靜電能夠迅速從基板表面流出，及時將已產生的靜電消散，防止靜電聚集，從而到達靜電放電的目的。

進一步的，所述SiO₂層和摻鋁氧化鋅層分別通過真空磁控濺射鍍膜，且所述SiO₂層厚度為10-15nm，所述摻鋁氧化鋅層中三氧化鋁重量為3％。

進一步的，所述第一隔離擋板、第二隔離擋板為有機材料隔離擋板、無機材料隔離擋板或者金屬隔離擋板。

進一步的，所述柵極底部設置有用于遮擋背光的屏蔽物。

進一步的，所述屏蔽物采用金屬材料制成。

通過在TFT的柵極底部設置的金屬屏蔽物，能夠較好的阻擋背光的滲入，防止TFTLCD出現比度下降，殘影等問題。

綜上所述，由于采用了上述技術方案，本實用新型的有益效果是：

1、本實用新型中，通過基底層兩邊設置的第一隔離擋板和第二隔離擋板將晶體管與外界隔離開來，起到屏蔽保護的作用，同時在漏極和源極上方連接處設置載流子注入口，可以顯著降低動態熱載流子效應造成的器件退化和閾值電壓漂移，提高TFT器件和電路的可靠性。