[實用新型]一種薄膜晶體管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721903019.2 | 申請日： | 2017-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN207651491U | 公開（公告）日： | 2018-07-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 趙金躍;鄧家榆 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市朗帥科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L23/60;H01L23/552 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51230 | 代理人： | 徐金瓊;劉東 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市福田*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 隔離擋板 半導(dǎo)體層 基底層 絕緣層 漏極 源極 載流子 薄膜晶體管 注入口 源層 熱載流子效應(yīng) 閾值電壓漂移 本實用新型 屏蔽保護 嵌入設(shè)置 外界隔離 鈍化層 晶體管 電路 兩邊 退化 | ||
1.一種薄膜晶體管，包括基底層(1)、設(shè)置于基底層兩側(cè)的第一隔離擋板(2)和第二隔離擋板(3)、設(shè)置于第一隔離擋板(2)和第二隔離擋板(3)間且嵌于基底層(1)上的有源層(4)、設(shè)置于有源層(4)上方的絕緣層(5)、設(shè)置于絕緣層(5)上方的半導(dǎo)體層(6)、設(shè)置于半導(dǎo)體層(6)上方的鈍化層(12)，其特征在于：所述半導(dǎo)體層(6)內(nèi)中部設(shè)置有柵極(7)，所述半導(dǎo)體層(6)和絕緣層(5)上分別嵌入設(shè)置有源極(9)和漏極(10)，所述源極(9)和漏極(10)上分別設(shè)置載流子注入口(11)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種薄膜晶體管，其特征在于：所述基底層(1)包括基板(13)、設(shè)置于基板上的SiO2層(14)，以及設(shè)置于SiO2層(14)上的摻鋁氧化鋅層(15)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種薄膜晶體管，其特征在于：所述SiO2層(14)和摻鋁氧化鋅層(15)分別通過真空磁控濺射鍍膜，且所述SiO2層(14)厚度為10-15nm，所述摻鋁氧化鋅層(15)中三氧化鋁重量為3％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種薄膜晶體管，其特征在于：所述第一隔離擋板(2)、第二隔離擋板(3)為有機材料隔離擋板、無機材料隔離擋板或者金屬隔離擋板。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種薄膜晶體管，其特征在于：所述柵極底部設(shè)置有用于遮擋背光的屏蔽物(8)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述一種薄膜晶體管，其特征在于：所述屏蔽物(8)采用金屬材料制成。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
