[實用新型]一種晶體硅異質結太陽電池結構

有效

• 申請號: 201721902869.0
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN208173611U
• 公開（公告）日: 2018-11-30
• 發明（設計）人: 張聞斌;黃海賓;李杏兵;王月斌;王磊;徐昕;彭德香
• 申請（專利權）人: 中智(泰興)電力科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0747
• 分類號: H01L31/0747;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 上海泰能知識產權代理事務所 31233
• 代理人: 黃志達;魏峯

本實用新型涉及一種晶體硅異質結太陽電池結構，在制絨的n型晶體硅片的一面或兩面依次沉積本征非晶硅基薄膜、摻雜非晶硅薄膜、氧化銦鈦ITiO薄膜。本實用新型的晶體硅異質結太陽電池結構均勻性、穩定性好，沉積速率快可滿足高速率生產的需要；用于晶體硅異質結太陽電池的大規模生產，可得到轉換效率大于22.5％的晶體硅異質結太陽電池，良品率可大于99.5％。

技術領域

本實用新型涉及晶體硅異質結太陽電池技術領域，特別是涉及一種晶體硅異質結太陽電池結構。

背景技術

晶體硅異質結太陽電池技術近年來訪發展迅速，已有多家公司投入進行大批量產業化生產。其生長中一項關鍵技術在于透明導電氧化物的材質和制備方法。就目前而言，大部分采用的是ITO薄膜(摻錫氧化銦)，但也發展了IWO(摻鎢氧化銦)、ITiO(摻鈦氧化銦)等材料。但除ITO外其他材料的制備技術，尤其是產業化制備技術一直較為困難，不能很好的滿足產品性能和生產產能要求。對于ITiO薄膜的制備，一般是采用磁控濺射法，采用氬氣和氧氣作為反應氣體，但所得薄膜的質量一直不夠理想，尤其是在高生產速率的大規模生產中產品性能不夠穩定。

發明內容

本實用新型所要解決的技術問題是提供一種晶體硅異質結太陽電池結構，結構均勻性、穩定性好，沉積速率快可滿足高速率生產的需要；可用于晶體硅異質結太陽電池的大規模生產。

本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是：提供一種晶體硅異質結太陽電池結構：在制絨的n型晶體硅片的一面或兩面依次沉積本征非晶硅基薄膜、摻雜非晶硅薄膜、氧化銦鈦ITiO薄膜。

所述在制絨的n型晶體硅片的一面依次沉積本征非晶硅基薄膜、摻雜非晶硅薄膜、ITiO薄膜，另一面依次沉積本征非晶硅基薄膜、摻雜非晶硅薄膜和除ITiO薄膜外的導電氧化物薄膜。

所述除ITiO薄膜外的導電氧化物薄膜為ITO薄膜或IWO薄膜。

所述晶體硅異質結太陽電池的兩面結構中的摻雜非晶硅薄膜分別為n型摻雜非晶硅薄膜和p重摻雜非晶硅薄膜。

所述ITiO薄膜的載流子遷移率為20～100cm²/Vs，電阻率為2*10^-4～10*10^-4Ωcm，透射率不低于88％。

所述ITiO薄膜的制備方法，包括：

采用磁控濺射法在依次沉積了本征非晶硅基薄膜和摻雜非晶硅薄膜且制成了金字塔結構絨面的n型晶體硅片基底上沉積氧化銦鈦ITiO薄膜；其中，磁控濺射法沉積的工藝參數為：反應氣體為氬氣、氫氣和氧氣，沉積功率密度為1.5～15kW/m，沉積速率為2.5～25nm/s。

所述氬氣、氫氣和氧氣的流量比為10～60：0.05～5：1。

有益效果

由于采用了上述的技術方案，本實用新型與現有技術相比，具有以下的優點和積極效果：

(1)本實用新型的晶體硅異質結太陽電池結構，其中ITiO薄膜的性能指標可達到載流子遷移率20～100cm²/Vs，電阻率2*10^-4～10*10^-4Ωcm，透射率不低于88％。

(2)本實用新型的晶體硅異質結太陽電池結構均勻性、穩定性好，沉積速率快從而可滿足高速率生產的需要；用于晶體硅異質結太陽電池的大規模生產，可得到轉換效率大于22.5％的晶體硅異質結太陽電池，良品率可大于99.5％。

附圖說明