[實用新型]一種晶體硅異質結太陽電池結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721902869.0
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN208173611U
• 公開（公告）日: 2018-11-30
• 發(fā)明（設計）人: 張聞斌;黃海賓;李杏兵;王月斌;王磊;徐昕;彭德香
• 申請（專利權）人: 中智(泰興)電力科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0747
• 分類號: H01L31/0747;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 上海泰能知識產權代理事務所 31233
• 代理人: 黃志達;魏峯

1.一種晶體硅異質結太陽電池結構，其特征在于：在制絨的n型晶體硅片的一面依次沉積本征非晶硅基薄膜、摻雜非晶硅薄膜、ITiO薄膜，另一面依次沉積本征非晶硅基薄膜、摻雜非晶硅薄膜和除ITiO薄膜外的導電氧化物薄膜。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種晶體硅異質結太陽電池結構，其特征在于：所述除ITiO薄膜外的導電氧化物薄膜為ITO薄膜或IWO薄膜。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種晶體硅異質結太陽電池結構，其特征在于：所述晶體硅異質結太陽電池的兩面結構中的摻雜非晶硅薄膜分別為n型摻雜非晶硅薄膜和p重摻雜非晶硅薄膜。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種晶體硅異質結太陽電池結構，其特征在于：所述ITiO薄膜的載流子遷移率為20～100cm²/Vs，電阻率為2*10^-4～10*10^-4Ωcm，透射率不低于88％。