[實用新型]一種OLED線性蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721898982.6 | 申請日: | 2017-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN207699657U | 公開(公告)日: | 2018-08-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林文晶;彭勃 | 申請(專利權(quán))人: | 上海升翕光電科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/12 | 分類號: | C23C14/12;C23C14/24 |
| 代理公司: | 長春菁華專利商標(biāo)代理事務(wù)所(普通合伙) 22210 | 代理人: | 南小平 |
| 地址: | 201506 上海市金*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 線性蒸發(fā)源 坩堝 進(jìn)氣口 本實用新型 噴嘴 封板 底部中央位置 噴嘴排列方向 厚度均勻性 加熱坩堝 均勻排布 均勻一致 有機(jī)材料 蒸鍍設(shè)備 出氣口 體內(nèi)腔 鍍膜 基板 緊固 良率 內(nèi)腔 通孔 蒸鍍 密封 噴射 垂直 均衡 | ||
本實用新型涉及一種OLED線性蒸發(fā)源結(jié)構(gòu),涉及蒸鍍設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。所述OLED線性蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)包括坩堝,所述坩堝上設(shè)有坩堝出氣口;本體,所述本體的底部中央位置設(shè)有本體進(jìn)氣口;及置于本體的頂部且呈線性均勻排布的多個噴嘴;所述本體在垂直于噴嘴排列方向上的兩側(cè)分別設(shè)有封板,所述封板緊固在所述本體上,且能實現(xiàn)對所述本體的內(nèi)腔的密封。本實用新型的OLED線性蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)經(jīng)過加熱坩堝產(chǎn)生的蒸鍍氣體,通過所述本體進(jìn)氣口進(jìn)入到本體內(nèi)腔中后,會均衡地進(jìn)入各本體通孔內(nèi),再經(jīng)由各噴嘴將蒸渡氣體均勻一致地噴射到基板上,能提高有機(jī)材料鍍膜的厚度均勻性和良率。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及蒸鍍設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種OLED線性蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
近年來,OLED(Organic Light-Emitting Diode)作為一種新型的平板顯示技術(shù)逐漸受到越來越多的關(guān)注,不斷滿足人們對更高品質(zhì)顯示產(chǎn)品的追求。目前,在大尺寸AMOLED(Active-matrix Organic Light-Emitting Diode)生產(chǎn)中,需要將有機(jī)材料等物質(zhì)置于蒸鍍設(shè)備的蒸發(fā)源中進(jìn)行蒸發(fā)(或升華),形成的氣態(tài)有機(jī)材料通過蒸發(fā)源的噴嘴噴射到蒸發(fā)源上方的常溫基板后,冷凝于玻璃基板表面,從而完成蒸鍍作業(yè)。現(xiàn)有蒸鍍設(shè)備多采用線性蒸發(fā)源,由于在坩堝加熱及傳遞過程中不同位置的熱量和溫度存在差異,使得蒸發(fā)源不同位置的有機(jī)氣體分子的熱動能不一致,從而使不同位置的噴嘴噴出有機(jī)分子的蒸鍍速率不同,導(dǎo)致鍍膜的厚度均勻性差。
現(xiàn)有的線型蒸發(fā)源裝置如圖1所示,包括用于盛放并加熱有機(jī)材料的坩堝1和長條形的線性蒸發(fā)源本體2,所述坩堝1的頂部連通所述本體2的底部中央位置,所述本體2的頂部設(shè)置有若干噴嘴3。當(dāng)正常蒸鍍作業(yè)時,所述坩堝1被加熱器(圖1中未示出)加熱,坩堝1內(nèi)的蒸鍍材料受熱蒸發(fā)(或升華)成氣體進(jìn)入本體2的腔室內(nèi),再經(jīng)過噴嘴3噴向基板(圖1中未示出)并冷凝成薄膜。對于現(xiàn)有的線性蒸發(fā)源,由于本體2呈長條形,坩堝1內(nèi)的蒸氣在進(jìn)入本體2的腔室后,在腔室中鄰近坩堝1的中央位置濃度較大,而遠(yuǎn)離坩堝1的兩側(cè)位置濃度較小,那么在所述本體2上靠近中央的噴嘴的蒸氣壓力相比靠近邊緣的噴嘴要大。即,所述本體2的腔室內(nèi)蒸氣的壓力不平衡,使得從不同位置噴嘴3噴出氣體的熱動能不一致,從而造成蒸鍍到基板上的薄膜厚度不均勻,尤其在制作大尺寸AMOLED時該缺陷更加明顯。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的就是要解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述問題,提供了一種OLED線性蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)。
為了解決上述技術(shù)問題,本實用新型的技術(shù)方案具體如下:
一種OLED線性蒸發(fā)源結(jié)構(gòu),包括:
坩堝,所述坩堝上設(shè)有坩堝出氣口;
本體,所述本體的內(nèi)腔為中心對稱的扇形截面形狀;所述本體的底部中央位置設(shè)有本體進(jìn)氣口,用來與坩堝出氣口相連通;
所述本體的頂部,設(shè)置有水平呈線性均勻排布,垂直高度相同的多個噴嘴;
所述本體在垂直于噴嘴排列方向上的兩側(cè)分別設(shè)有封板,所述封板緊固在所述本體上,且能實現(xiàn)對所述本體的內(nèi)腔的密封。
在上述技術(shù)方案中,所述內(nèi)腔由上至下依次設(shè)有:內(nèi)腔上弧面、左右兩個內(nèi)腔底側(cè)斜面和本體進(jìn)氣口。
在上述技術(shù)方案中,左右兩個所述內(nèi)腔底側(cè)斜面的夾角的角度為90°~150°。
在上述技術(shù)方案中,所述本體上設(shè)置有多個本體通孔,每個所述噴嘴上分別設(shè)置有一個噴嘴通孔;
每個所述本體通孔的上端與一個所述噴嘴通孔相連通,每個所述本體通孔的下端通過內(nèi)腔上弧面與所述本體的內(nèi)腔相連通。
在上述技術(shù)方案中,所述本體通孔的直徑比所述噴嘴通孔的直徑大。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海升翕光電科技有限公司,未經(jīng)上海升翕光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721898982.6/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





